【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法
本专利技术是关于半导体装置，特别是关于具有将场板与基底电连接的导电结构的半导体装置及其形成方法。
技术介绍
半导体装置被用于各种电子应用中，例如高功率装置、个人电脑、手机、数字相机及其他电子装置。这些半导体装置一般藉由在半导体基底上沉积绝缘层或介电层、导电层材料和半导体层材料，随后藉由使用微影(photolithography)工艺将各种材料层图案化以制造而成。因此，在半导体基底上形成电路装置和组件。在这些装置中，由于高电子迁移率晶体管(high-electronmobilitytransistors，HEMTs)具有例如高输出功率和高崩溃电压的优势，它们被广泛地使用于高功率的应用中。虽然现存的半导体装置及其形成方法已足够应付它们原先预定的用途，但它们仍未在各个方面皆彻底的符合要求，因此半导体集成电路和技术目前仍有需克服的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了半导体装置的实施例及其形成方法的实施例，特别是高电子迁移率晶体管(HEMT)。在本专利技术的一些实施例中，使...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一第一复合III-V族半导体层，设置于一复合基底上；/n一第二III-V族半导体层，设置于该第一复合III-V族半导体层上；/n一栅极结构，设置于该第二III-V族半导体层上；/n一源极电极和一漏极电极，设置于该第二III-V族半导体层上和该栅极结构的相对两侧；/n一场板，设置于该栅极结构与该漏极电极之间；以及/n一导电结构，穿过该第二III-V族半导体层和该第一复合III-V族半导体层，其中该场板藉由该导电结构与该复合基底电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
一第一复合III-V族半导体层，设置于一复合基底上；
一第二III-V族半导体层，设置于该第一复合III-V族半导体层上；
一栅极结构，设置于该第二III-V族半导体层上；
一源极电极和一漏极电极，设置于该第二III-V族半导体层上和该栅极结构的相对两侧；
一场板，设置于该栅极结构与该漏极电极之间；以及
一导电结构，穿过该第二III-V族半导体层和该第一复合III-V族半导体层，其中该场板藉由该导电结构与该复合基底电连接。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电结构的底面高于该复合基底的底面。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一复合III-V族半导体层包括氮化镓，该第二III-V族半导体层包括氮化铝镓，且该栅极结构包括P型掺杂的氮化镓。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电结构与该栅极结构位于该源极电极的相对两侧。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电结构位于该场板的正下方的范围内。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该复合基底包括：
一基底；
一缓冲层，设置于该基底上；以及
一晶种层，设置于该缓冲层上，其中该导电结构穿过该缓冲层和该晶种层，且该导电结构接触该基底。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该基底由氮化铝制成。
8.一种半导体装置，包括：
一第一复合III-V族半导体层，设置于一复合基底上；
一第二III-V族半导体层，设置于该第一复合III-V族半导体层上；
一源极电极、一栅极结构和一漏极电极，设置于该第二III-V族半导体层上，其中该栅极结构位于该源极电极与该漏极电极之间；
一第一场板区，设置于该栅极结构与该漏极电极之间；以及
一第一导电结构，电连接该第一场板区与该复合基底，其中该第一导电结构与该源极电极电性隔离。
9.如权利要求8所述的半导体装置，更包括：
一导孔，设置于该第一场板区上，其中该第一导电结构的顶面高于该第一场板区的顶面，且该第一场板区藉由该导孔与该第一导电结构电连接。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其中该复合基底包括：
一氮化铝基底；
一氧化层，设置于该氮化铝基底上；以及
一硅层，设置于该氧化层上，其中该第一导电结构穿过该氧化层和该硅层，且该第一导电结构的底面高于该氮化铝基底的底面。
11.如权利要求8所述的半导体装置，更包括：
一第二场板区和一第三场板区，设置于该栅极结构与该漏极电极之间，其中该第一场板区、该第二场板区和该第三场板区彼此分隔；
一第一导孔，设置于该第一场板区上；
一第二导孔，设置于该第二场板区上；以及
一第三导孔，设置于该第三场板区上，其中该第一场板区、该第二场板区和该第三场板区分别藉由该第一导孔、该第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：周政伟，林信志，周钰杰，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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