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本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置包括：半导体装置包含第一复合III‑V族半导体层设置于复合基底上，以及第二III‑V族半导体层设置于第一复合III‑V族半导体层上。半导体装置也包含栅极结构设置于第二III‑V族半导体...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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