半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置的制造方法包括形成第一导电部件于介电层内。选择性地回蚀第一导电部件。形成蚀刻停止层于第一导电部件和介电层上，蚀刻停止层在第一导电部件上的高度与在介电层上的高度不同。图案化蚀刻停止层以暴露出第一导电部件的顶表面。横向蚀刻蚀刻停止层。在第一导电部件上沉积导电材料以形成第二导电部件。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及一种具有改进的电性连接的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
集成电路(IC)工业经历了指数级的发展。IC材料和设计的技术进步已经产生了好几代IC，其中每一代都比上一代具有更小，更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即每个芯片面积的互连装置的数量)通常增加而几何尺寸(即可以使用制造工艺产生的最小元件(或线))减小。这种尺寸缩小的工艺通常会带来好处，例如提高生产效率及降低相关成本。尺寸缩小还增加了IC工艺和制造的复杂度，而为了实现这些进步，需要在IC工艺和制造中进行类似的发展。例如，随着互连线的宽度持续缩小，导孔底部阻挡层与金属导体之间的接触面积变得越来越小，这导致导孔与金属导体之间的接触电阻更高。尤其是随着技术节点的缩小，更希望降低这种接触电阻。
技术实现思路
一种半导体装置制造方法，包括：形成第一导电部件于介电层内。选择性地回蚀第一导电部件。形成蚀刻停止层于第一导电部件和介电层上，蚀刻停止层在第一导电部件上的高度与在介电层上的高度不同。图案化蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n形成一第一导电部件于一介电层内；/n选择性地回蚀该第一导电部件；/n形成一蚀刻停止层于该第一导电部件和该介电层上，该蚀刻停止层在该第一导电部件上的高度与在该介电层上的高度不同；/n图案化该蚀刻停止层以暴露出该第一导电部件的一顶表面；/n横向蚀刻该蚀刻停止层；以及/n在该第一导电部件上沉积一导电材料以形成一第二导电部件。/n

【技术特征摘要】
20181126 US 62/771,401;20190401 US 16/371,7801.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成一第一导电部件于一介电层内；
选择性地回蚀该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡国强，陈志辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71