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一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置的制造方法包括形成第一导电部件于介电层内。选择性地回蚀第一导电部件。形成蚀刻停止层于第一导电部件和介电层上，蚀刻停止层在第一导电部件上的高度与在介电层上的高度不同。图案化蚀刻停止层以暴露出第一导电部...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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