半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法包括沉积硬掩模层于金属层之上；沉积第一图案化层于硬掩模层之上；形成第一组侧壁间隔物于第一图案化层的部件的侧壁上；形成第二组侧壁间隔物于第一组侧壁间隔物的侧壁上；移除第一组侧壁间隔物；以及进行反应离子蚀刻工艺以图案化通过第一图案化层及第二组侧壁间隔物露出的金属层的部分。

Forming method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且特别有关于一种包括图案化金属层的方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业经历了指数级成长。集成电路材料及设计的技术进步产生了集成电路世代，其中每一世代相较于先前的世代具有更小以及更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积的内连元件数目)通常增加，此时几何尺寸(即可使用制造工艺创造的最小元件(或线))减少。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率以及降低相关成本提供好处。这样的按比例缩小的工艺亦增加了集成电路结构(例如三维晶体管)及工艺的复杂度，以及为了实现这些进步，需要集成电路工艺和制造相似的发展。例如，当元件尺寸持续减少时，元件效能(例如与各种缺陷相关的元件效能衰减)及场效晶体管的制造成本变得更具挑战性。虽然现有的方法对于原目的来说已经足够，其并非在各个面向皆令人满意。
技术实现思路
本专利技术实施例包括一种半导体装置的形成方法，包括沉积硬掩模层于金属层之上；沉积第一图案化层于硬掩模层之上；形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n沉积一硬掩模层于一金属层之上；/n沉积一第一图案化层于该硬掩模层之上；/n形成一第一组侧壁间隔物于该第一图案化层的部件的侧壁上；/n形成一第二组侧壁间隔物于该第一组侧壁间隔物的侧壁上；/n移除该第一组侧壁间隔物；以及/n进行一反应离子蚀刻工艺以图案化通过该第一图案化层及该第二组侧壁间隔物露出的该金属层的部分。/n

【技术特征摘要】
20181126 US 62/771,506;20190819 US 16/543,8141.一种半导体装置的形成方法，包括：
沉积一硬掩模层于一金属层之上；
沉积一第一图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖御杰，庄正吉，吴佳典，杨岱宜，陈欣苹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71