自对准竖直固态装置制造和集成方法制造方法及图纸

本申请涉及自对准竖直固态装置制造和集成方法。各种实施例包括制造自对准竖直固态装置阵列和将所述装置集成到系统衬底的方法。制造自对准竖直固态装置的方法包含：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积多个装置层；在所述多个装置层中的一个的上表面上沉积欧姆接触层，其中所述装置层包含有源层和掺杂导电层；在所述欧姆接触层上形成图案化厚导电层；和选择性向下蚀刻所述掺杂导电层，基本上不蚀刻所述有源层。

Manufacturing and integration method of self aligned vertical solid state device

【技术实现步骤摘要】
自对准竖直固态装置制造和集成方法相关申请的交叉参考本申请要求2018年11月15日申请的美国临时专利申请第62/767,698号的优先权和权益，所述申请以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术大体上涉及竖直固态装置和其制造方法。更确切地说，本专利技术涉及一种制造自对准竖直固态装置的方法。本专利技术还涉及微装置阵列与接收器衬底或系统衬底上的接触阵列的自对准集成。
技术介绍
发光二极管(LED)和LED阵列可分类为竖直固态装置。微装置可为传感器、LED或在衬底上生长、沉积或单片制造的任何其它固体装置。所述衬底可为装置层的固有衬底或将装置层或固态装置转移到的接收器衬底。系统衬底可以是任何衬底，并且可以是刚性的或柔性的。系统衬底可由玻璃、硅、塑料或任何其它常用材料制成。系统衬底也可具有有源电子组件，例如但不限于晶体管、电阻器、电容器或系统衬底中常用的任何其它电子组件。在一些情况下，系统衬底可为具有电信号行和列的衬底。在一个实例中，装置衬底可为具有在其顶部上单片生长的LED层的蓝宝石衬底，并且系统衬底可为具有用于导出微LED装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造自对准竖直固态装置的方法，所述方法包含：/n提供半导体衬底；/n在所述半导体衬底上沉积多个装置层；/n在所述多个装置层中的一个的上表面上沉积欧姆接触层，其中所述装置层包含有源层和掺杂导电层；/n在所述欧姆接触层上形成图案化厚导电层；和/n选择性向下蚀刻所述掺杂导电层，基本上不蚀刻所述有源层。/n

【技术特征摘要】
20181115 US 62/767,698;20190821 US 16/546,8971.一种制造自对准竖直固态装置的方法，所述方法包含：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上沉积多个装置层；
在所述多个装置层中的一个的上表面上沉积欧姆接触层，其中所述装置层包含有源层和掺杂导电层；
在所述欧姆接触层上形成图案化厚导电层；和
选择性向下蚀刻所述掺杂导电层，基本上不蚀刻所述有源层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述图案化厚导电层包含：
在厚金属层上方沉积掩蔽层；
在所述掩蔽层上沉积图案化光刻胶层；和
使用所述掩蔽层使所述厚导电层图案化。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述欧姆接触层包含氧化铟锡层作为另一欧姆接触。


4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含
去除所述掩蔽层；
在所述装置层上方保形地沉积多个另一层；和
在所述装置层上方使所沉积的其它层图案化以从多个所述图案化厚导电层的顶部去除额外层。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个其它层包含：
一或多个钝化层、聚合物层、介电层、导电层和反射层。


6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含
蚀刻所述多个装置层中的一个的底层以暴露底部接触，其中所述底层包含：导电底层或掺杂底层中的一个。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述底层为n型欧姆层。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述竖直固态装置为微LED装置。


9.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻方法通过湿式蚀刻方法、干式蚀刻方法或激光烧蚀形成。
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【专利技术属性】
技术研发人员：格拉姆雷扎·查济，埃桑诺拉·法蒂，
申请(专利权)人：维耶尔公司，
类型：发明
国别省市：加拿大;CA