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一种半导体装置的形成方法包括沉积硬掩模层于金属层之上；沉积第一图案化层于硬掩模层之上；形成第一组侧壁间隔物于第一图案化层的部件的侧壁上；形成第二组侧壁间隔物于第一组侧壁间隔物的侧壁上；移除第一组侧壁间隔物；以及进行反应离子蚀刻工艺以图案化通...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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