【技术实现步骤摘要】
半导体薄膜制备装置及制备方法
本专利技术涉及半导体薄膜加工
，尤其是涉及一种半导体薄膜制备装置及制备方法。
技术介绍
目前制备半导体薄膜的方法很多，如电化学沉积(ECD)、金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光法、分子束成长法、共蒸法、闪蒸法、离子束溅射等传统方法。上述这些制备方法在不同程度上存在着成分偏离化学计量比、仪器设备价格昂贵、制作上危险度较高等问题。更重要的是上述薄膜制备方法通常只适合制备较薄的薄膜，例如厚度为1μm及以下的薄膜。然而，在一些特殊应用场合需要厚度为数十微米甚至上百微米的超厚薄膜。例如以产生电能为主要目的的热电薄膜常常需要较大的厚度以减少发电元件电阻，以增大输出功率。例如，以探测X光或γ射线为目的的射线探测器薄膜需要有足够的厚度来吸收射线的能量。因此，亟需研发出一种新型的、能够生产出相对较厚的半导体薄膜的设备以及加工方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体薄膜制备装置及制备方法，以解决现有技术中存在的薄膜厚度较薄的技术问题。本专利技术提供的...
【技术保护点】
1.一种半导体薄膜制备装置，其特征在于，包括：/n沿垂直方向设置的炉体、至少一个设置在所述炉体内部的蒸发源装置以及位于至少一个所述蒸发源装置上部的衬底；所述蒸发源装置位于所述炉体下端且至少一个所述蒸发源装置与所述衬底相对设置；所述炉体的上端设置有开口，真空泵通过所述开口与所述炉体相连并用于抽取所述炉体内部的气体。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体薄膜制备装置，其特征在于，包括：
沿垂直方向设置的炉体、至少一个设置在所述炉体内部的蒸发源装置以及位于至少一个所述蒸发源装置上部的衬底；所述蒸发源装置位于所述炉体下端且至少一个所述蒸发源装置与所述衬底相对设置；所述炉体的上端设置有开口，真空泵通过所述开口与所述炉体相连并用于抽取所述炉体内部的气体。
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜制备装置，其特征在于，所述炉体内还设置有用于维持炉体内部真空度的稳压装置，所述稳压装置位于所述衬底的上方，当所述真空泵停止工作后，所述稳压装置在气压作用下与所述炉体的内侧壁紧密贴合以使所述蒸发源装置与所述衬底处保持真空状态。
3.根据权利要求2所述的半导体薄膜制备装置，其特征在于，所述稳压装置包括能沿所述炉体的高度方向滑动移动的滑动件和设置在所述滑动件周侧的环形弹性结构，其中所述滑动件的外侧壁与所述炉体的内侧壁间存在间隙，所述弹性结构与所述炉体的内侧壁相互抵接；
当所述真空泵工作时，位于所述稳压装置下方的气体经所述环形弹性结构的外侧壁被抽出，当所述真空泵停止工作时，所述稳压装置在气压作用下使其下方的炉体内部处于真空状态。
4.根据权利要求3所述的半导体薄膜制备装置，其特征在于，所述弹性结构的截面为弧形且其朝向所述蒸发源装置所在方向弯曲。
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