高效纳米真空蒸发源制造技术

本发明专利技术公开了一种高效纳米真空蒸发源，包括顶端敞口的热屏蔽组件，所述热屏蔽组件的底部与真空法兰连接，其内部设有用于装载源材料的坩埚组件。所述坩埚组件包括U型坩埚，所述U型坩埚的顶部设有与之一体成型的盖板。所述盖板的中部设有蒸镀开口，所述盖板的顶部设有能相对其转动的顶盖。所述顶盖的上端与固接在所述热屏蔽组件上的驱动件连接，其中部设有与所述蒸镀开口匹配的通孔。所述通孔内设有用于清洁所述蒸镀开口的清洁件。本发明专利技术的纳米真空蒸发源在不影响坩埚容量的前提下缩小了散射面，降低了源材料的浪费率，而且有效避免了开口的堵塞现象，保证了源材料的蒸镀效率。

【技术实现步骤摘要】
高效纳米真空蒸发源
本专利技术涉及真空镀膜
，尤其涉及一种高效纳米真空蒸发源。
技术介绍
纳米真空蒸发源是纳米真空镀膜设备的核心部件，可以实现对源材料的纳米级高精度控制。目前市场上常用到的纳米真空蒸发源的坩埚(即用来装载源材料的容器)为U形状的，但U形状的开口是完全敞开的，口径较大，所以散射面较大，在蒸镀时有相当一部分的纳米材料无法被基板收集，而是沉积在基板以外的其他位置，造成材料的较高浪费率。如果将坩埚做成锥形结构，虽能通过缩小口径的方式来缩小散射面，但坩埚的容量会因此减少，容易造成单次蒸镀时源材料装载量不够用的尴尬局面，而且口径缩小容易造成开口堵塞，导致源材料蒸镀速率下降，影响蒸镀效率。
技术实现思路
为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种高效纳米真空蒸发源，在不影响坩埚容量的前提下缩小了散射面，降低了源材料的浪费率，而且有效避免了开口的堵塞现象，保证了源材料的蒸镀效率。为了达到以上目的，本专利技术采用的技术方案是：一种高效纳米真空蒸发源，包括顶端敞口的热屏蔽组件，所述热屏蔽组件的底部与真空法兰连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效纳米真空蒸发源，包括顶端敞口的热屏蔽组件，所述热屏蔽组件的底部与真空法兰连接，其内部设有用于装载源材料的坩埚组件；其特征在于：所述坩埚组件包括U型坩埚，所述U型坩埚的顶部设有与之一体成型的盖板；所述盖板的中部设有蒸镀开口，所述盖板的顶部设有能转动的顶盖；所述顶盖的上端与固接在所述热屏蔽组件上的驱动件连接，其中部设有与所述蒸镀开口匹配的通孔；所述通孔内设有用于清洁所述蒸镀开口的清洁件。/n

【技术特征摘要】
1.一种高效纳米真空蒸发源，包括顶端敞口的热屏蔽组件，所述热屏蔽组件的底部与真空法兰连接，其内部设有用于装载源材料的坩埚组件；其特征在于：所述坩埚组件包括U型坩埚，所述U型坩埚的顶部设有与之一体成型的盖板；所述盖板的中部设有蒸镀开口，所述盖板的顶部设有能转动的顶盖；所述顶盖的上端与固接在所述热屏蔽组件上的驱动件连接，其中部设有与所述蒸镀开口匹配的通孔；所述通孔内设有用于清洁所述蒸镀开口的清洁件。


2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于：所述清洁件包括多个呈圆周阵列分布在所述通孔内的刮板；所述刮板固接在所述通孔内，其底部设有能延伸至所述蒸镀开口内的清洁部；所述清洁部的一侧抵靠在所述蒸镀开口的内壁上，其底端与所述蒸镀开口的底端齐平。


3.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于：所述盖板上环绕所述蒸镀开口还设置有多个呈圆周阵列分布的一号调节开口，所述顶盖上设有与所述一号调节开口一一对应且错位设置的二号调节开口；当所述顶盖转动时...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宁，
申请(专利权)人：苏州泓沵达仪器科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32