一种高节能纳米真空蒸发源制造技术

本实用新型专利技术公开一种高节能纳米真空蒸发源，包括真空法兰，真空法兰上方通过支撑件固定有热屏蔽组件，热屏蔽组件内内置有加热组件，热屏蔽组件远离真空法兰一端设置有上端开口的圆柱形的放置腔，放置腔内可拆卸设置有一坩埚。坩埚包括自上而下依次连接的出气段和存储段，存储段为下端设置底壁的空腔圆柱体，出气段为空腔圆台体，出气段的下底面内径和存储段的内径相同，出气段的上端开口内径小于下底面内径，出气段的上端开口与放置腔的开口等高，出气段的外壁和放置腔的内壁之间可拆卸放置有高导热块，高导热块用于将热屏蔽组件的温度传导至出气段。缩小了蒸发时的散射面，能够提高源材料的有效利用率，减少了源材料的浪费，避免出口堵塞。

【技术实现步骤摘要】
一种高节能纳米真空蒸发源
本技术涉及蒸镀
，特别涉及一种高节能纳米真空蒸发源。
技术介绍
真空蒸发沉积是一种常规的薄膜制备方式，具有材料利用效率高、简单、均匀性好、可控性高的特点，广泛地应用于无机半导体材料、金属、有机半导体材料及其他功能性材料的薄膜制作。一般来讲，真空蒸发沉积是将所蒸发的源材料放置在一个坩埚中，通过不同加热方式使得源材料汽化，从而产生源材料的原子、分子或者团簇束流，并在真空中无碰撞地沉积在衬底上，其生长速率可由源材料的温度决定。而产生原子、分子或者团簇束流的设备统称蒸发源，其包括坩埚、加热组件、温度测量组件、控温组件组成。其中坩埚是必不可少的组成部分，目前高校和研发机构中，常用到的坩埚为U形坩埚，由于U形状的开口处是完全敞开的，口径较大，所以散射面较大，在蒸镀时有相当一部分的纳米材料无法被基板收集，而是沉积在基板以外的其他位置，造成源材料的较大浪费，尤其是对于难合成的有机材料，而且给后续的腔体清洗工作带来额外的工作量。若仅改变坩埚的开口，在蒸镀过程中，蒸镀坩埚的开口可能会发生堵塞现象，从而也会影响蒸镀过程的进行。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高节能纳米真空蒸发源，包括真空法兰(1)，所述真空法兰(1)上方通过支撑件(2)固定有热屏蔽组件(3)，所述热屏蔽组件(3)内置有加热组件(4)，所述热屏蔽组件(3)远离真空法兰(1)一端设置有上端开口的圆柱形的放置腔(31)，所述放置腔(31)内可拆卸设置有一坩埚(5)，其特征在于：所述坩埚(5)包括自上而下依次连接的出气段(51)和存储段(52)，所述存储段(52)为下端设置底壁(53)的空腔圆柱体，所述出气段(51)为空腔圆台体，所述出气段(51)的下底面内径和存储段(52)的内径相同，所述出气段(51)的上端开口内径小于下底面内径，所述出气段(51)的上端开口与放置腔(31)的...

【技术特征摘要】
1.一种高节能纳米真空蒸发源，包括真空法兰(1)，所述真空法兰(1)上方通过支撑件(2)固定有热屏蔽组件(3)，所述热屏蔽组件(3)内置有加热组件(4)，所述热屏蔽组件(3)远离真空法兰(1)一端设置有上端开口的圆柱形的放置腔(31)，所述放置腔(31)内可拆卸设置有一坩埚(5)，其特征在于：所述坩埚(5)包括自上而下依次连接的出气段(51)和存储段(52)，所述存储段(52)为下端设置底壁(53)的空腔圆柱体，所述出气段(51)为空腔圆台体，所述出气段(51)的下底面内径和存储段(52)的内径相同，所述出气段(51)的上端开口内径小于下底面内径，所述出气段(51)的上端开口与放置腔(31)的开口等高，所述出气段(51)的外壁和放置腔(31)的内壁之间可拆卸放置有高导热块(6)，所述高导热块(6)用于将热屏蔽组件(3)的温度传导至出气段(51)。


2.根据权利要求1所述的一种高节能纳米真空蒸发源，其特征在于：所述出气段(51)和存储段(52)为一体成型结构，所述出气段(51)和存储段(52)的连接处为弧形。


3.根据权利要求1所述的一种高节能纳米真空蒸发源，其特征在于：所述高导热块(6)为外径与放置腔(31)直径相同的空心圆柱体，所述高导热块(6)设置有与出气段(51)的外壁锥度匹配的套孔(61)，所述高导热块(6)套设在出气段...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宁，
申请(专利权)人：苏州泓沵达仪器科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32