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本发明提供了一种半导体薄膜制备装置及制备方法，涉及半导体薄膜加工技术领域，主要目的是解决现有技术中存在的薄膜厚度较薄的技术问题。该半导体薄膜制备装置，包括：沿垂直方向设置的炉体、至少一个设置在所述炉体内部的蒸发源装置以及位于至少一个所述蒸发...
该专利属于何元金所有，仅供学习研究参考，未经过何元金授权不得商用。

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