一种多晶半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电力电子陶瓷领域，尤其涉及一种多晶半导体材料及其制备方法。以ZnO为主成分，组份及含量为ZnO 88~98mol%、Bi

A polycrystalline semiconductor material and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种多晶半导体材料及其制备方法
本专利技术涉及电力电子陶瓷领域，尤其涉及一种多晶半导体材料及其制备方法。
技术介绍
二十世纪九十年代，一种集故障机械脱离、远程报警功能的标准轨道安装的模块化的浪涌保护器（简称SPD）由德国OBO公司、DEHN、PHOENIX等公司引进到中国大陆。该产品以其标准化的设计、完善的过流及过热自动脱离保护等性能收到广泛欢迎，迅速在通讯基站、铁路、银行、低压配电等领域得到广泛应用。九十年代中期，国内防雷器制造厂家开始跟进研制同类产品。但是当时的压敏电阻厂家不具备生产完全满足这类产品的核心器件压敏防雷芯片的技术能力。2000年以后，虽有部分厂家生产了部分防雷芯片，但在大电流冲击能力、工频过载耐受能力方面存在各种问题。防雷芯片主要通过进口德国西门子等厂家的产品。（注：本专利中的去离子水是通过反渗透等处理方式，去除了呈离子形式的杂质后的纯水，其电阻率大于5.0MΩ·cm（兆欧厘米），下同。
技术实现思路
专利技术的目的：为了提供一种效果更好的多晶半导体材料及其制备方法，具体目的见具体实施部分的多个实质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶半导体材料，其特征在于，以ZnO为主成分，组份及含量为ZnO 88~98mol%、Bi

【技术特征摘要】
1.一种多晶半导体材料，其特征在于，以ZnO为主成分，组份及含量为ZnO88~98mol%、Bi2O30.5~4.0mol%、Sb2O30.4~2.0mol%、Co3O40.3~2.0mol%、MnCO30.3~2.0mol%、Ni2O30.5~2.0mol%。


2.一种多晶半导体材料的制备方法，其特征在于，包含如下步骤，
以ZnO为主成分，组份及含量为ZnO88~98mol%、Bi2O30.5~4.0mol%、Sb2O30.4~2.0mol%、Co3O40.3~2.0mol%、MnCO30.3~2.0mol%、Ni2O30.5~2.0mol%；先将ZnO以外的材料进行称量混料；其中，Bi2O3、Sb2O3采用其纳米等级的材料；
将称量混合后的材料加入以∮5氧化锆球为介质球的砂磨机中，并按照含固体含量45%...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建文，王佳伟，
申请(专利权)人：西安恒翔电子新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61