一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法技术

本发明专利技术涉及一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法，包括以下步骤：（1）首先制备氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体，即采用化学法所得铟锡氧化物前驱体或混合法所得氧化铟和氧化锡混合粉，在温度为800‑950℃，保温时间为4‑12小时的条件下进行煅烧，然后用10‑40℃的水淬冷，得到氧化物粉体；（2）将氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体按比例混合成混合粉体，混合球磨并造粒，成型后，在氧气氛中烧结，烧结温度1500‑1550℃，保温6‑15小时。该方法采用高温淬火的氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体进行球磨混合，成型后，在氧气氛中低温烧结，得到超高致密度、晶粒细小的ITO靶材，该生产方法简单、适合批量生产。

A production method of ultra-high density fine crystal ITO target

【技术实现步骤摘要】
一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法
本专利技术涉及一种氧化铟锡靶材的生产方法，特别涉及一种超高密度细晶氧化铟锡靶材的生产方法。
技术介绍
氧化铟锡靶材（ITO靶材）是一种电子陶瓷材料，主要用于磁控溅射镀制ITO膜。ITO膜是一种透明的导电性薄膜，用于制作显示器、触摸屏、LED等需要透明电极的电子设备及元器件。ITO靶材在使用过程中会产生“结瘤”，从而影响靶材的使用寿命和ITO膜的品质。研究发现，提高靶材的密度，可以有效的改善“结瘤”；在镀膜过程中，低的溅射功率，靶材异常放电率较低，能有效改善“结瘤”；当靶材晶粒细小时，晶界增多，晶界处的原子更容易被溅射出来，从而可以降低溅射功率。获得高致密度、细晶粒的ITO靶材一直是业界所希望的。目前未见有高致密度、细晶粒ITO靶材生产方法的相关报道。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种生产方法简单、适合批量生产的超高密度细晶ITO靶材的生产方法，该方法采用高温淬火的氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体进行球磨混合，成型后，在氧气氛中低温烧结，得到超高致密度、晶粒细小的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）首先制备氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体，其中氧化铟掺锡粉体中的锡原子占铟锡原子总原子含量为4-6％；氧化锡掺铟粉体中的铟原子占铟锡原子总原子含量为1-3％；氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体的具体制备过程为：采用化学法所得铟锡氧化物前驱体或混合法所得氧化铟和氧化锡混合粉，在温度为800-950℃，保温时间为4-12小时的条件下进行煅烧，煅烧保温结束后，用10-40℃的水淬冷，得到比表面积为3-15m

【技术特征摘要】
1.一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）首先制备氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体，其中氧化铟掺锡粉体中的锡原子占铟锡原子总原子含量为4-6％；氧化锡掺铟粉体中的铟原子占铟锡原子总原子含量为1-3％；氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体的具体制备过程为：采用化学法所得铟锡氧化物前驱体或混合法所得氧化铟和氧化锡混合粉，在温度为800-950℃，保温时间为4-12小时的条件下进行煅烧，煅烧保温结束后，用10-40℃的水淬冷，得到比表面积为3-15m3/g的氧化物粉体；
（2）将氧化铟掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄誓成，陆映东，张倍维，梁盈祥，覃当凤，
申请(专利权)人：广西晶联光电材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：广西;45