烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法技术

提供一种可为适当的机械强度，且有效地降低体电阻、可抑制异常放电的发生的烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法。本发明专利技术的烧结体是含有In、Ga及Zn的氧化物的烧结体，其满足0.317<In/(In+Ga+Zn)≤0.350、0.317<Ga/(In+Ga+Zn)≤0.350、及0.317<Zn/(In+Ga+Zn)≤0.350的关系，体电阻值为15mΩcm以上且25mΩcm以下，抗弯强度为40MPa以上且小于50MPa。

Sinter, sputtering target and manufacturing method of sinter

【技术实现步骤摘要】
烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法
本专利技术涉及一种适合用于制造各种显示设备等的可被称为所谓的IGZO的烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法，提出一种可有效抑制溅射时的异常放电的技术。
技术介绍
制造搭载于个人计算机、文字处理器等的液晶显示器(LCD)、电致发光(EL)、其它各种显示装置用电极、触摸面板及电子纸等的膜用电极等时，通过溅射在玻璃或塑料等成膜用基板上形成由金属复合氧化物制成的透明导电膜。作为用于这样的溅射的溅射靶，有由含有In、Ga及Zn、且具有InGaZnO4(InGaO3(ZnO))的同系结构的氧化物的烧结体制成的IGZO溅射靶。IGZO溅射靶在使用该溅射靶的溅射中，可形成可见透射性的IGZO膜，因此，广泛用于上述的显示设备制造等。作为与这种IGZO溅射靶相关的技术，有专利文献1～3中记载的技术等。在专利文献1中，提出了以InGaZnO4表示的化合物为主成分的溅射靶，该溅射靶中，相对于溅射靶中的全部金属元素含有正四价以上的金属元素100ppm～10000ppm。根据该溅射靶，通过以规定的量添加正四价以上的金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种烧结体，其中，/n是含有In、Ga及Zn的氧化物的烧结体，/n所述烧结体满足0.317<In/(In+Ga+Zn)≤0.350、0.317<Ga/(In+Ga+Zn)≤0.350、及0.317<Zn/(In+Ga+Zn)≤0.350的关系，体电阻值为15mΩcm以上且25mΩcm以下，抗弯强度为40MPa以上且小于50MPa。/n

【技术特征摘要】
20180921 JP 2018-1776511.一种烧结体，其中，
是含有In、Ga及Zn的氧化物的烧结体，
所述烧结体满足0.317<In/(In+Ga+Zn)≤0.350、0.317<Ga/(In+Ga+Zn)≤0.350、及0.317<Zn/(In+Ga+Zn)≤0.350的关系，体电阻值为15mΩcm以上且25mΩcm以下，抗弯强度为40MPa以上且小于50MPa。


2.根据权利要求1所述的烧结体，其中，
平均结晶粒径为15μm以上且20μm以下。


3.根据权利要求1所述的烧结体，其中，
在烧结体截面的SEM图像中，在90μm×120μm的观察视野内，最大的孔的最小包含圆的直径为3μm以下，被具有0.5μm以上的直径的最小包含圆内含的孔的个数为50个～100个。


4.根据权利要求2所述的烧结体，其中，
在烧结体截面的SEM图像中，在90μm×120μm的观察视野内，最大的孔的最小包含圆的直径为3μm以下，被具有0.5μm以上的直径的最小包含圆内含...

【专利技术属性】
技术研发人员：秀岛正章，角田浩二，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP