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本发明涉及一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法，包括以下步骤：（1）首先制备氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体，即采用化学法所得铟锡氧化物前驱体或混合法所得氧化铟和氧化锡混合粉，在温度为800‑950℃，保温时间为4‑12小时的条件下进行煅烧，...
该专利属于广西晶联光电材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过广西晶联光电材料有限责任公司授权不得商用。

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