一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法技术

本发明专利技术涉及一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法，包括以下主要步骤：将表面附着ITO残留物的的承烧垫片放入真空炉中高温1550～1650℃加热，并保持一定的真空度；然后降至1300～1400℃，通空气或氧气保温，然后再一次加热至高温1550～1650℃，并保持一定真空度；保温结束，降至室温清洁完成。本发明专利技术采用高温烧结垫片，通过高温去除垫片上的ITO残留物，清洁效果良好，与现有研磨清洁垫片的方式相比，具有垫片无损耗，清洁干净，适合大批量清洁的优点。适合大批量清洁的优点。适合大批量清洁的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷靶材烧结窑具清洁领域，尤其涉及一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法。

技术介绍

[0002]氧化铟锡（ITO）靶材，是一种用于磁控溅射镀膜的靶材材料，用于镀制透明导电的ITO膜，广泛应用于显示屏、触摸屏、太阳能电池等领域。
[0003]ITO靶材的纯度要求99.99%以上。所以在烧结窑内烧结时，需要用高纯的垫片支撑，避免其直接与承烧板接触。
[0004]ITO靶材的烧结温度通常在1550℃以上。长时间的烧结，垫片上会粘附一层ITO壳层，壳层凹凸不平，厚度不一，会严重影响ITO靶材的平整度，使产品得料率降低。同时，粘附层也会导致垫片与靶材粘接，导致靶材出现表面凹坑，直接导致产品报废。
[0005]现有的解决方案是，垫片每次使用完之后，用磨石手工研磨或磨床机械研磨，由于垫片尺寸小，数量大，研磨费工费时，极大的降低了生产效率。而且，研磨量少了，清理不干净；研磨量大了，垫片磨损大，消耗快，成本高。目前急需一种更好的垫片清洁办法。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的技术问题是：提供一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法，该方法采用高温烧结垫片，通过高温分解去除垫片上的ITO残留物，清洁效果良好，与现有研磨清洁垫片的方式相比，具有垫片无损耗，清洁干净，适合大批量清洁的优点。
[0007]解决上述技术问题的技术方案是：一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法，包括以下步骤：（1）将表面附着ITO残留物的承烧垫片放入真空炉中；（2） 将真空炉升温至1550～1650℃，保温4～10小时，保温期间的真空度为
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0.09～
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0.04MPa；（3）保温结束后，将炉温降低至1300～1400℃，然后保温1～4小时，保温期间通入空气或氧气，使炉压在50～120Pa之间；（4）保温结束后，再将炉温升至1550～1650℃，保温4
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10小时，保温时，停止通气，并抽真空，保温期间的真空度为
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0.09～
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0.04MPa；（5）保温结束后，随炉冷却至室温，取出垫片，即完成垫片ITO残留物的清洁。
[0008]所述垫片的材质是氧化铝或氧化锆。
[0009]ITO高温易分解气化。本专利技术采用高温烧结垫片，使垫片上的ITO残留物在高温下分解气化被去除。垫片本体在高温下不会发生熔解，清洁过程垫片无损耗；另外目前使用的垫片尺寸小，可将多个垫片同时放入一个真空炉中进行清洁，清洁效率高。故本专利技术方法与现有研磨清洁垫片的方式相比，具有垫片无损耗，清洁干净，人力成本低，适合大批量清洁的优点。
[0010]下面，结合附图和实施例对本专利技术之一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法的技术特征作进一步的说明。
[0011]说明书附图图1：未清洁前附着有ITO残留物的承烧垫片示意图。
[0012]图2：经本专利技术实施例1所述方法清洁后全部干净的承烧垫片示意图。
[0013]图3：经本专利技术对比例2清洁后部分干净的承烧垫片示意图。
具体实施方式
[0014]实施例1：将表面附着ITO残留物的承烧垫片堆放入真空炉中，升温至1650℃，保温4小时，保温时保持炉内真空度为
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0.04MPa。保温结束后，将炉温降低至1400℃，保温1小时，保温时通入氧气，使炉内压力升高到50Pa，并保持。保温结束后，再将炉温升至1650℃，保温4小时，保温时，停止通气，并抽真空，使炉内真空度为
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0.04MPa。保温结束后，垫片随炉冷却至室温，即完成垫片ITO残留物的清洁。
[0015]实施例2：将表面附着ITO残留物的承烧垫片堆放入真空炉中，升温至1550℃，保温10小时，保温时保持炉内真空度为
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0.09MPa。保温结束后，将炉温降低至1300℃，保温4小时，保温时通入氧气，使炉内压力升高到120Pa，并保持。保温结束后，再将炉温升至1550℃，保温10小时，保温时，停止通气，并抽真空，使炉内真空度为
‑
0.09MPa。保温结束后，垫片随炉冷却至室温，即完成垫片ITO残留物的清洁。
[0016]实施例3：将表面附着ITO残留物的承烧垫片堆放入真空炉中，升温至1600℃，保温7小时，保温时保持炉内真空度为
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0.07MPa。保温结束后，将炉温降低至1350℃，保温3小时，保温时通入空气，使炉内压力升高到80Pa，并保持。保温结束后，再将炉温升至1600℃，保温6小时，保温时，停止通气，并抽真空，使炉内真空度为
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0.06MPa。保温结束后，垫片随炉冷却至室温，即完成垫片ITO残留物的清洁。
[0017]对比例1：将表面附着ITO残留物的承烧垫片堆放入真空炉中，升温至1650℃，保温4小时，保温时保持炉内真空度为
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0.04MPa（此过程与实施例1一样）。保温结束后，垫片随炉冷却至室温，取出垫片，仍有部分垫片表面残留ITO层。
[0018]对比例2：与实施例1相比，基本过程相同，只改变通氧气时的保温温度点，具体过程为：将表面附着ITO残留物的承烧垫片堆放入真空炉中，升温至1650℃，保温4小时，保温时保持炉内真空度为
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0.04MPa。保温结束后，将炉温降低至1280℃，保温1小时，保温时通入氧气，使炉内压力升高到50Pa，并保持。保温结束后，再将炉温升至1650℃，保温4小时，保温时，停止通气，并抽真空，使炉内真空度为
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0.04MPa。保温结束后，垫片随炉冷却至室温，取出垫片，仍有部分垫片表面残留少量ITO层。
[0019]对比例3：与实施例1相比，基本过程相同，只改变通氧气时的保温温度点，具体过程为：将表
面附着ITO残留物的承烧垫片堆放入真空炉中，升温至1650℃，保温4小时，保温时保持炉内真空度为
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0.04MPa。保温结束后，将炉温降低至1420℃，保温1小时，保温时通入氧气，使炉内压力升高到50Pa，并保持。保温结束后，再将炉温升至1650℃，保温4小时，保温时，停止通气，并抽真空，使炉内真空度为
‑
0.04MPa。保温结束后，垫片随炉冷却至室温，取出垫片，仍有部分垫片表面残留少量ITO层。
[0020]对比例4：与实施例1相比，基本过程相同，只改变真空度，具体过程为：将表面附着ITO残留物的承烧垫片堆放入真空炉中，升温至1650℃，保温4小时，保温时保持炉内真空度为
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0.03MPa。保温结束后，将炉温降低至1400℃，保温1小时，保温时通入氧气，使炉内压力升高到50Pa，并保持。保温结束后，再将炉温升至1650℃，保温4小时，保温时，停止通气，并抽真空，使炉内真空度为
‑
0.03MPa。保温结束后，垫片随炉冷却至室温，取出垫片，仍有部分垫片表面残留少量ITO层。
[0021]对比例5：与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将表面附着ITO残留物的承烧垫片放入真空炉中；（2） 将真空炉升温至1550～1650℃，保温4～10小时，保温期间的真空度为
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0.09～
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0.04MPa；（3）保温结束后，将炉温降低至1300～1400℃，然后保温1～4小时，保温期间通入空气或氧气，使炉压在50～120Pa之间；（4）...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆映东，宋春华，黄誓成，梁盈祥，覃丽莉，黄作，莫斌，薛超，张倍维，
申请(专利权)人：广西晶联光电材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：