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一种多晶半导体材料及其制备方法技术
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文档序号:24340366
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本发明涉及电力电子陶瓷领域,尤其涉及一种多晶半导体材料及其制备方法。以ZnO为主成分,组份及含量为ZnO 88~98mol%、Bi...
该专利属于西安恒翔电子新材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安恒翔电子新材料有限公司授权不得商用。
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