晶圆数据处理方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种晶圆数据处理方法和装置，应用于包括N个电路单元、每个电路单元包括M个子单元的晶圆。该方法包括：电子设备获取N个电路单元的电气特性参数值，以及，N个电路单元损坏的子单元的数量。电子设备根据N个电路单元的电气特性参数值，得到晶圆的第一信息熵序列，并根据N个电路单元损坏的子单元的数量，得到晶圆的第二信息熵序列。电子设备根据第一信息熵序列和第二信息熵序列，获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度。该相似度能够表征所述晶圆的电路单元中损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度。因此，工程师基于该相似度可以得出导致晶圆上各电路单元中子单元损坏的原因，进而优化晶圆的加工工艺。

Wafer data processing method and device

【技术实现步骤摘要】
晶圆数据处理方法和装置
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆数据处理方法和装置。
技术介绍
晶圆(wafer)即晶片，是制造半导体芯片的基本材料。通过在晶片上加工制作成各种电路单元，可以形成具有特定电性功能的集成电路产品。由于半导体集成电路最主要的原料是硅，因此，晶圆也可以称为硅晶圆。3DNAND是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。目前，可以对晶圆进行加工制作形成3DNAND。因此，3DNAND也可以称为NAND晶圆。以NAND晶圆为例，目前，在NAND晶圆加工制作的过程中，通过测试NAND晶圆可以得到NAND晶圆上的电路单元的测试数据。基于NAND晶圆的测试数据，可以得出NAND晶圆上各电路单元中损坏的子单元数量，但无法获知导致该问题的原因，进而导致无法优化晶圆的加工工艺。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种晶圆数据处理方法和装置，以获知导致晶圆上各电路单元中子单元损坏的原因，进而优化晶圆的加工工艺。第一方面，本专利技术实施例提供一种晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆数据处理方法，其特征在于，晶圆包括N个电路单元，每个电路单元包括M个子单元，所述N和所述M均为大于或等于2的整数，所述方法包括：/n电子设备获取N个所述电路单元的电气特性参数值，以及，N个所述电路单元损坏的子单元的数量，其中，所述电气特性参数值包括电流值和/或电压值；/n所述电子设备根据N个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列，所述第一信息熵序列包括X个电路单元集合的电气特性参数信息熵，每个电路单元集合包括Y个电路单元，所述X为大于或等于1且小于或等于所述N的整数，所述Y为小于或等于所述N的整数；/n所述电子设备根据所述N个电路单元损坏的子单元的数量，得到所述...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆数据处理方法，其特征在于，晶圆包括N个电路单元，每个电路单元包括M个子单元，所述N和所述M均为大于或等于2的整数，所述方法包括：
电子设备获取N个所述电路单元的电气特性参数值，以及，N个所述电路单元损坏的子单元的数量，其中，所述电气特性参数值包括电流值和/或电压值；
所述电子设备根据N个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列，所述第一信息熵序列包括X个电路单元集合的电气特性参数信息熵，每个电路单元集合包括Y个电路单元，所述X为大于或等于1且小于或等于所述N的整数，所述Y为小于或等于所述N的整数；
所述电子设备根据所述N个电路单元损坏的子单元的数量，得到所述晶圆的第二信息熵序列，所述第二信息熵序列包括X个所述电路单元集合的电路单元损坏信息熵；
所述电子设备根据所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列，获取所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度，所述相似度表征所述晶圆的电路单元中损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子设备根据N个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列之前，所述方法还包括：
所述电子设备对N个所述电路单元的电气特性参数值进行分组，并对各组的电路单元的电气特性参数值进行调整，以使同一组的电路单元的电器特性参数值为该组电器特性参数值的平均值；
所述电子设备对N个所述电路单元损坏的子单元的数量进行分组，并对各组的电路单元损坏的子单元的数量进行调整，以使同一组的电路单元损坏的子单元的数量为该组损坏的子单元的数量的平均值。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子设备根据N个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列之前，所述方法还包括：
所述电子设备将N个所述电路单元划分为X个所述电路单元集合。


4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述电子设备获取N个所述电路单元的电气特性参数值，以及，N个所述电路单元损坏的子单元的数量，包括：
所述电子设备接收N个所述电路单元的电气特性参数值，以及，N个所述电路单元损坏的子单元的数量。


5.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述电子设备获取N个所述电路单元的电气特性参数值，以及，N个所述电路单元损坏的子单元的数量，包括：
所述电子设备接收N个所述电路单元的测试数据；
所述电子设备根据所述N个所述电路单元的测试数据，获取N个所述电路单元的电气特性参数值，以及，N个所述电路单元损坏的子单元的数量。


6.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述获取所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度之后，还包括：
所述电子设备向终端设备发送所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度。


7.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，相邻的两个电路单元集合包括至少一个相同的电路单元。


8.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述电路单元为芯片裸片，所述子单元为存储块。


9.一种晶圆数据处理装置，其特征在于，晶圆包括N个电路单元，每个电路单元包括M个子单元，所述N和所述M均为大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘晓东，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42