一种RC-IGBT器件版图制造技术

本实用新型专利技术涉及一种RC‑IGBT器件版图，包括版图底板，版图底板上设有多个由多根窗口段首尾连接形成的断开的环状窗口，相邻窗口段的首端与尾端之间具有间隔，版图底板上除了断开的环状窗口之外的区域为与P型集电极区对应的P型集电极窗口，断开的环状窗口与RC‑IGBT的N型集电极短路区对应。

A layout of rc-igbt device

【技术实现步骤摘要】
一种RC-IGBT器件版图
本技术涉及一种用于制作该半导体器件的版图结构，尤其涉及一种RC-IGBT器件版图。
技术介绍
在电力电子系统中，IGBT器件通常都会反并联一个续流二极管(FRD)。在传统的封装模式中，往往把两颗IGBT芯片与FRD芯片封装在一起，这样做不仅增加了器件的个数、模块的体积、制造成本，而且封装过程中焊点数的增加还会影响模块的可靠性。因此，为了解决这一问题，设计了逆导型IGBT，即RC-IGBT。RC-IGBT结构可以更大限度的减小IGBT模块面积，增大芯片集成度。RC-IGBT是将续流二极管FRD集成在IGBT器件内部。以N型IGBT器件为例，RC-IGBT器件的主要特征在于其背部形成了与集电极连接的N型集电极短路区，N型集电极短路区与P型基区、N型基区一起形成了能够反向导通的续流二极管结构。传统RC-IGBT在正向导通时会出现一个负阻效应。N+发射极区、P型基区、N型基区、N型场终止区、N型集电极短路区会形成一个VDMOS结构。当器件正向导通时，在小电流条件下，背部的P型集电极区与N型场终止区形成的PN结由于压降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RC-IGBT器件版图，包括版图底板(301)，其特征在于：版图底板上设有多个由多根窗口段(302)首尾连接形成的断开的环状窗口，相邻窗口段的首端与尾端之间具有间隔，版图底板除了断开的环状窗口之外的区域为与P型集电极区对应的P型集电极窗口(303)，断开的环状窗口与RC-IGBT的N型集电极短路区对应。/n

【技术特征摘要】
1.一种RC-IGBT器件版图，包括版图底板(301)，其特征在于：版图底板上设有多个由多根窗口段(302)首尾连接形成的断开的环状窗口，相邻窗口段的首端与尾端之间具有间隔，版图底板除了断开的环状窗口之外的区域为与P型集电极区对应的P型集电极窗口(303)，断开的环状窗口与RC-IGBT的N型集电极短路区对应。


2.根据权利要求1所述的RC-IGBT器件版图，其特征在于：所述窗口段为矩形窗口。


3.根据权利要求1所述的RC-IGBT器件版图，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳平，
申请(专利权)人：上海擎茂微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31