IGBT子模组单元及其封装模块制造技术

本发明专利技术公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件封装
，具体的说，涉及一种IGBT子模组单元及其封装模块。
技术介绍
如今，IGBT作为一种主流的开关器件，其封装方式也已经多样化，目前较为普遍使用的有两种:塑封模块式和压接式。在现有压接型IGBT的典型封装结构中，IGBT芯片设置在IGBT子模组单元内，多个IGBT子模组单元被设置在陶瓷管壳内。多个IGBT芯片的栅极、发射极、辅助发射极和集电极汇流引出到陶瓷管壳外与其他器件连接。其中IGBT芯片的辅助发射极和栅极引出连接到栅极驱动电路中。在现有的这种IGBT封装结构中，由于IGBT芯片的辅助发射极都是通过发射极铜块即主电极端子汇连到外部辅助发射极端子，导致多IGBT芯片之间的辅助发射极的路径不对称，也就造成了栅极-辅助发射极路径即栅极驱动回路的不对称，而且当模块尺寸越大、并联芯片数量越多时，这种不对称性越严重。从而造成多IGBT芯片之间控制回路杂散参数的不一致，带来IGBT芯片开关特性不一致以及多IGBT芯片并联均流异常等问题。因此，亟需一种能够解决多IGBT芯片之间辅助发射极回路的杂散参数不一致问题的IGBT子模组单元及其封装模块。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种IGBT子模组单元及其封装模块，以解决现有的IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。本专利技术的实施例提供一种IGBT子模组单元，所述子模组单元包括:IGBT 芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。进一步的，所述发射极钼片的形状为大致的四边形，其中所述四边形的至少一个角为凹进的弧形，所述安装底座的第一孔洞的截面的形状与所述发射极钼片的形状相对应。进一步的，所述IGBT子模组单元还包括第二导电件，其一端与所述IGBT芯片的栅极接触，所述安装底座还包括第三孔洞，其用于使所述第二导电件从中穿过。本专利技术的实施例提供一种压接型IGBT封装模块，其包括:IGBT子模组单元；封装壳体，其包括顶部、磁环和底部，所述顶部和底部的边缘分别与磁环上下开口接合，所述顶部与所述集电极钼片另一面接触；多个发射极凸台，所述发射极凸台设置在所述封装壳体底部上，所述安装底座通过所述卡接部件卡接在所述发射极凸台上，所述发射极凸台与所述发射极钼片另一面接触；PCB电路板，其设置在多个所述发射极凸台之间的间隙内，所述PCB电路板上设计有辅助发射极线路，所述第一导电件另一端穿过所述第二孔洞与所述辅助发射极线路接触，所述辅助发射极线路的设计使得多个所述IGBT芯片之间辅助发射极回路的杂散参数一致。进一步的，所述PCB电路板上设置有:辅助发射极端子，其与所述辅助发射极线路连接；多个所述IGBT芯片的发射极与所述辅助发射极端子之间的线路路径距离相等，使得多个所述IGBT芯片之间辅助发射极回路的杂散参数一致。进一步的，所述PCB电路板上设计有栅极线路，所述IGBT子模组单元还包括第二导电件，所述安装底座还包括第三孔洞，其用于使所述第二导电件从中穿过，所述第二导电件一端与所述IGBT芯片的栅极接触，另一端穿过所述第三孔洞与所述栅极线路接触；所述栅极线路的设计和所述辅助发射极线路的设计一致，所述辅助发射极线路和所述栅极线路分别设置在所述PCB电路板内的两个独立电路连接层上。可选的，所述第一导电件和所述第二导电件为弹簧针。进一步的，所述PCB电路板上安装有被动元器件，所述被动元器件用于优化所述辅助发射极电路和所述栅极电路。进一步的，所述磁环为绝缘材料。进一步的，所述封装壳体顶部和底部的材质为铜。本专利技术实施例提供的IGBT子模组单元及其封装模块，IGBT芯片的栅极和发射极分别连接在PCB电路板上，通过对PCB电路板上栅极线路和辅助发射极线路汇流的设计，可以实现封装模块内每个IGBT芯片的栅极-辅助发射极回路的杂散参数的一致，从而保证器件的开关一致性以及多芯片并联均流特性。并且本专利技术采用的多层PCB板上可以安装电阻、电容等被动元器件，可以优化IGBT模块栅极驱动的配置，提升器件性能。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】为了更清楚的说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:图1是本专利技术实施例提供的IGBT子模组单元结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的压接型IGBT封装模块的结构剖面示意图；图3是本专利技术实施例提供的压接型IGBT封装模块的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的PCB电路板设计不意图。附图标记说明:1、IGBT芯片2、发射极钼片3、集电极钼片4、第一导电件5、安装底座6、第一孔洞 7、第二孔洞 8、卡接部件 9、第二导电件 10、第三孔洞 11、PCB电路板12、IGBT子模组单元13、封装壳体顶部14、磁环15、封装壳体底部16、发射极凸台17、辅助发射极端子20、辅助发射极线路21、栅极线路22、被动元器件23、栅极端子24、辅助发射极接触点25、栅极接触点26、被动元器件安装位71、发射极72、栅极【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。本专利技术实施例提供了一种IGBT子模组单元，如图1所示和图2所示，子模组单元包括:IGBT芯片1、发射极钼片2、集电极钼片3、第一导电件4和安装底座5。发射极钼片2 —面与IGBT芯片I的发射极71的部分相接触，集电极钼片3 —面与IGBT芯片I的集电极接触，即在IGBT芯片I上的集电极侧覆盖有集电极钼片，发射极侧覆盖有发射极钼片。第一导电件4 一端与IGBT芯片I的发射极71接触。安装底座5上设置有用于容纳发射极钼片2的第一孔洞6和用于使第一导电件4从中穿过的第二孔洞7，安装底座5的第一孔洞6的边缘上还设置有卡接部件8。在本专利技术实施例中，安装底座选用绝缘材料，例如可以为塑料、陶瓷等。进一步的，发射极钼片2的形状为大致的四边形，其中四边形的至少一个角为凹进的弧形，安装底座5的第一孔洞6的截面的形状与发射极钼片2的形状相对应，也为大致的四边形，且四边形的一个角为凹进的弧形，使得发射极钼片2可以较为紧密的装在第一孔洞6中，并穿过第一孔洞6。由于第一导电件4和发射极钼片2都要与IGBT芯片的发射极71直接接触，因此，在发射极钼片2上相应减小即一个角的空间，用于使第一导电件4与发射极71接触。同样的，由于安装底座5上要设置第二孔洞7，从而将第一导电件4从中引出，因此对应的安装底座5上的第一孔洞6也相应的减小即一个角的空间来设置第二孔洞7。进一步的，IGBT子模组单元还包括第二导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT子模组单元，其特征在于，所述子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国友，窦泽春，彭勇殿，李继鲁，肖红秀，方杰，常桂钦，忻兰苑，徐凝华，王世平，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43