本实用新型涉及一种曲翘改善型IGBT，元胞包括内设栅极的栅沟槽，栅沟槽两侧的基区形成第一发射极，第一发射极内设有发射结，元胞内设有若干发射极沟槽，发射极沟槽内设有第二发射极，相邻发射极沟槽之间的间距，大于相邻栅沟槽或栅沟槽与其相邻发射极...

本实用新型涉及一种低热阻低导通压降的FRD，包括衬底、位于衬底一侧的阳极、位于衬底另一侧的阴极，阳极表面设有阳极金属层，阴极表面设有阴极金属层，阳极或阴极的表面设有若干深槽，阳极金属层或阴极金属层延伸至深槽内，深槽的侧壁或底壁表面设有高...

本申请公开了一种IGBT器件及其制备工艺，涉及半导体器件领域。其结构包括：N型衬底，P型多晶硅，N型多晶硅区域，ILD氧化层和发射极金属；所述衬底上刻蚀有浅沟槽，所述沟槽填充有P型多晶硅，所述N型衬底上形成有P阱区域和P型多晶硅栅区域，...

本发明涉及一种带有可编程内置电阻栅的IGBT，其通过在栅金属PAD与栅极总线之间设置若干组可编程电阻栅，使得该IGBT在出厂后，操作人员可通过烧录PAD对若干组可编程电阻栅进行编程，进而对内置栅极电阻进行调节，以使其与相应的应用场景相适...

本实用新型涉及一种带有可编程内置电阻栅的IGBT，其通过在栅金属PAD与栅极总线之间设置若干组可编程电阻栅，使得该IGBT在出厂后，操作人员可通过烧录PAD对若干组可编程电阻栅进行编程，进而对内置栅极电阻进行调节，以使其与相应的应用场景...

本实用新型涉及一种具有层叠式栅极的IGBT，本实用新型的具有层叠式栅极的IGBT，将原有与发射极金属层同层的栅极金属层堆叠于发射极金属层的上方，从而使得发射极金属层可以最大程度地在衬底表面延展。而在IGBT结构中，发射极金属的面积基本与...

本发明涉及一种具有层叠式栅极的IGBT，本发明的具有层叠式栅极的IGBT，将原有与发射极金属层同层的栅极金属层堆叠于发射极金属层的上方，从而使得发射极金属层可以最大程度地在衬底表面延展。而在IGBT结构中，发射极金属的面积基本与有源区的...

本实用新型涉及一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片，其栅金属层并不直接与多晶硅栅极连接，而是通过包含N型多晶硅柱、P型多晶硅层、N型多晶硅层等部件在内的抑制栅与多晶硅栅极连接，从而减小了器件关断时，栅极放电电流的变化速度，进而抑制了IG...

本发明涉及一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片，其抑制多晶硅栅极表面设有P型多晶硅反型层，P型多晶硅反型层与N型表面多晶股连接层接触，从而形成PN结二极管，该PN结二极管及由抑制多晶硅栅极引入的内置电阻串联形成抑制电路，以抑制芯片关断...

本发明公开了一种IGBT器件包括：多个第一沟槽栅，包括填充于第一栅极沟槽中的第一栅介质层和第一栅极导电材料层，第一栅极导电材料层连接到栅极。在版图结构上，各第一栅极沟槽平行排列。在至少一条第一栅极沟槽上设置有米勒电容连续调节结构，包括：...

本实用新型涉及一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片，其抑制多晶硅栅极表面设有P型多晶硅反型层，P型多晶硅反型层与N型表面多晶股连接层接触，从而形成PN结二极管，该PN结二极管及由抑制多晶硅栅极引入的内置电阻串联形成抑制电路，以抑制芯片...

本实用新型涉及一种带有补偿沟道的IGBT芯片，其元胞内设置左发射极区及左接触孔，右发射极区及右接触孔，P型基区内形成偏左和偏右的两个P+深阱区，这使得即使各接触孔发生一定偏移，主发射极区一侧的导电沟道阈值升高、电流降低，但左发射极区或右...

本发明涉及一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片，其栅金属层并不直接与多晶硅栅极连接，而是通过包含N型多晶硅柱、P型多晶硅层、N型多晶硅层等部件在内的抑制栅与多晶硅栅极连接，从而减小了器件关断时，栅极放电电流的变化速度，进而抑制了IGBT...

本发明涉及一种带有补偿沟道的IGBT芯片，其元胞内设置左发射极区及左接触孔，右发射极区及右接触孔，P型基区内形成偏左和偏右的两个P+深阱区，这使得即使各接触孔发生一定偏移，主发射极区一侧的导电沟道阈值升高、电流降低，但左发射极区或右发射...

本发明公开了一种快恢复二极管，包括：第一导电类型重掺杂的第一电极区、第二导电类型重掺杂的第二电极区，位于第一和第二电极区之间的第二导电类型掺杂的漂移区。在漂移区中插入有第二导电类型掺杂的电场阻滞层并将漂移区分割成第一和第二漂移子层。电场...

本发明公开了一种快恢复二极管包括：第一导电类型的第一电极区，第二导电类型的第二电极区和悬浮电极区。第二电极区和悬浮电极区之间间隔有第一导电类型的沟道区；第一栅极结构覆盖沟道区并形成MOS晶体管。第一电极区和第二电极区相接触形成第一二极管...

本发明公开了一种IGBT器件，包括：在终端区中设置有由多个齐纳二极管原胞并联连接形成的齐纳二极管阵列。齐纳二极管原胞由多个齐纳二极管背靠背串联而成。齐纳二极管原胞连接在栅极导电材料层和场截止区之间。齐纳二极管由形成在多晶硅条的交替排列的...

本发明公开了一种IGBT器件，IGBT器件的原胞中集成有电压过冲抑制电路原胞；电压过冲抑制电路原胞包括：第一多晶硅层；第一多晶硅层的第一端和栅极导电材料层直接接触相连，第二端通过金属连线和漂移区电连接。在沿第一端至第二端的方向上，在第一...

本发明公开了一种IGBT器件，器件原胞包括IGBT原胞和可控硅原胞。IGBT原胞的第一沟道区的沟道电流具有第一方向；发射区和体区通过第一接触孔连接到发射极。可控硅原胞具有浮置的第二掺杂区，第二掺杂区和发射区之间通过第二沟道区的沟道电流连...

本实用新型涉及一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，包括元胞区及栅电极区，元胞区包括设置于芯片本体表面的场氧层，场氧层的表面开设有多个容纳槽，芯片本体的上方设有位于场氧层表面及容纳槽内壁的多晶硅栅，容纳槽内还设有位于多晶硅栅上方的阻...