一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，包括元胞区及栅电极区，元胞区包括设置于芯片本体表面的场氧层，场氧层的表面开设有多个容纳槽，芯片本体的上方设有位于场氧层表面及容纳槽内壁的多晶硅栅，容纳槽内还设有位于多晶硅栅上方的阻止层。本实用新型专利技术的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，因为阻止层的存在，当发生多晶硅刻蚀孔缺陷时，开孔处的多晶硅与阻止层将同时保留下来，其能够阻止后续的发射极接触孔刻蚀深入到多晶硅上，这样就避免了可能的栅源短路，同时，加工时以多晶硅栅为停止层进行CMP工艺，保证多位于场氧层上的多晶硅表面没有阻止层，以便与器件的栅极相连，不会造成栅极开路。不会造成栅极开路。不会造成栅极开路。

【技术实现步骤摘要】
一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件


[0001]本技术涉及一种半导体器件，尤其涉及一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件。

技术介绍

[0002]现有的平面绝缘栅双极型晶体管中，芯片本体1元胞源区的多晶硅栅4上开设有用于连接发射极金属9与发射区的接触孔，接触孔的内壁设有绝缘介质层。芯片表面的发射极金属通过接触孔内的金属与芯片本体内的发射区连接。由于加工车间内工艺环境的不可控性，元胞在制备的过程中经常会出现缺陷掉落于晶圆表面的现象。当缺陷落在多晶硅版图的开孔中时，会造成对多晶硅刻蚀的失败。而后续接触孔版图的同一位置处正常开孔时，接触孔的底端便停留于作为栅极的多晶硅表面。此时发射极金属通过接触孔内的金属与多晶硅栅极短接，从而使得器件的栅源短路，造成器件失效。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件。
[0004]本技术的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，包括元胞区及栅电极区，元胞区包括设置于芯片本体表面的场氧层，所述场氧层的表面开设有多个容纳槽，芯片本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，包括元胞区及栅电极区，元胞区包括设置于芯片本体(1)表面的场氧层(2)，其特征在于：所述场氧层的表面开设有多个容纳槽(3)，芯片本体的上方设有位于场氧层表面及容纳槽内壁的多晶硅栅(4)，所述容纳槽内还设有位于多晶硅栅上方的阻止层(5)。2.根据权利要求1所述的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，其特征在于：所述阻止层的中部设有从阻止层表面延伸至芯片本体表面的穿孔(6)，多晶硅栅、阻止层的表面及穿孔的内壁上均设有绝缘介质层(7)，穿孔内设有从绝缘绝缘介质层表面延伸至芯片本体内发...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小利，王海军，
申请(专利权)人：上海擎茂微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：