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本实用新型涉及一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，包括元胞区及栅电极区，元胞区包括设置于芯片本体表面的场氧层，场氧层的表面开设有多个容纳槽，芯片本体的上方设有位于场氧层表面及容纳槽内壁的多晶硅栅，容纳槽内还设有位于多晶硅栅上方的阻止层...
该专利属于上海擎茂微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海擎茂微电子科技有限公司授权不得商用。

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