半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可靠性高的半导体装置，其通过比较简单的方法提高芯片的终端构造(终端区域)的高温高湿偏压，并且可抑制对设备特性的影响。具备配置于半导体基板的主面的有源区域和以包围所述有源区域的方式配置于所述主面的终端区域，所述终端区域具有形成于所述半导体基板的主面上的层间绝缘膜和以覆盖所述层间绝缘膜的方式形成的有机系保护膜，在所述层间绝缘膜与所述有机系保护膜之间设有膜厚为100nm以下的含有氮的绝缘膜。为100nm以下的含有氮的绝缘膜。为100nm以下的含有氮的绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置的结构，特别是涉及适用于功率半导体芯片的终端结构而有效的技术。

技术介绍

[0002]作为功率半导体芯片的耐压劣化的原因之一，有芯片终端部的电场集中。在功率半导体芯片的表面形成接合时，在施加反向偏压时，在终端部耗尽层向扇型扩展。扇型区域的电荷的电力线聚集在芯片终端部，产生所谓的电场集中。其结果是，以与理论耐压相比相当低的电压引起雪崩击穿(绝缘破坏)。
[0003]为了缓和该芯片终端部的电场集中，在施加反向偏压时需要将来自扩大为扇形的耗尽层区域的电荷的电力线的目的地从芯片终端部向终端结构(以下，也称为终端区域)整体分散。作为其方法，提出了在与接合终端相邻的半导体表面形成与接合的表面侧的极性相同的低浓度区域的Junction Termination Extension(结终端扩展，JTE)结构、沿着接合终端部以多个环状形成与接合的表面侧的极性相同的结构的保护环结构等各种结构。
[0004]作为本
的
技术介绍
，例如有专利文献1那样的技术。专利文献1记载有以下技术，即为了防止产生因水本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具备：有源区域，其配置于半导体基板的主面；以及终端区域，其以包围所述有源区域的方式配置于所述主面，所述终端区域具有形成于所述半导体基板的主面上的层间绝缘膜以及以覆盖所述层间绝缘膜的方式形成的有机系保护膜，在所述层间绝缘膜与所述有机系保护膜之间设有膜厚为100nm以下的含有氮的绝缘膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述终端区域具有形成于所述半导体基板的主面的保护环。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述终端区域具有场板电极，该场板电极形成于所述层间绝缘膜上，并贯通形成于所述层间绝缘膜的开孔而与所述保护环连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述有机系保护膜以覆盖所述层间绝缘膜以及所述场板电极的方式形成。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述含有氮的绝缘膜的膜厚为50nm以下。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述含有氮的绝缘膜的膜厚为10nm以上。7.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：德光成太，白石正树，加藤丰，织田哲男，
申请(专利权)人：株式会社日立功率半导体，
类型：发明
国别省市：