【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及驱动电路以及电力变换装置。
技术介绍
1、绝缘栅双极晶体管(igbt)例如被用于具有电感性的负载的逆变器电路。
2、一般的igbt具有将电压切断或者使电流导通的集电极端子和发射极端子、以及对igbt的切断状态和导通状态进行控制的栅极端子。
3、为了降低igbt导通时的电阻，有效的是向漂移层高密度地注入载流子来促进传导率调制。另一方面，在高密度地注入载流子时，从导通状态转移到切断状态的截止切换动作的速度变慢，存在截止损失增加这样的缺点，导通损失的降低和截止损失的降低处于折衷的关系。
4、近年来，作为用于改善该折衷关系的一个手段，公开了对集电极部追加n型mosfet(nmos)构造、而且具有用于对集电极部的nmos进行控制的集电极栅极端子的集电极栅极控制igbt(cg-igbt，参照下述非专利文献1)、集电极栅极控制反向导通igbt(cg-rc-igbt，参照下述非专利文献2)。
5、如非专利文献1那样，cg-igbt也有时被称为bc-igbt(back-gate-controlledigbt，背栅控制igbt)。另外，如非专利文献2那样，集电极栅极(cg)也有时被称为atg(anodetrench gate，阳极沟槽栅)。
6、rc-igbt(反向导通igbt)是指内置有能够使电流与igbt反向地导通的二极管构造的igbt，如果是通常的igbt则为了回流而需要反并联地连接二极管，但在使用rc-igbt时具有不需要反并联二极管这样的优点。根据下述非专利文献2和
7、在本说明书中，关于集电极栅极控制igbt(cg-igbt)，设为表示具备发射极、集电极、作为发射极侧的栅极的发射极栅极(以往的栅极)、以及作为集电极侧的栅极的集电极栅极的igbt的概念来进行说明。另外，设为作为集电极栅极控制igbt(cg-igbt)的一种而包括集电极栅极控制反向导通igbt(cg-rc-igbt)来进行说明。
8、现有技术文献
9、非专利文献1：t.saraya，k.itou，t.takakura，m.fukui，s.suzuki，k.takeuchi，m.tsukuda，k.satoh，t.matsudai，k.kakushima，t.hoshii，k.tsutsui，h.iwai，a.ogura，w.saito，s.nishizawa，i.omura，h.ohashi，t.hiramoto，“3.3kv back-gate-controlledigbt(bc-igbt)using manufacturable double-side process technology”，iedm2020pp.iedm20-87-iedm20-90.
10、非专利文献2：j.wei，x.luo，g.deng，t.sun，c.wang，k.zhu，w.cui，z.wang，z.li，and b.zhang，“ultrafast and low-turn-off loss lateral iegt with a mos-controlled shorted anode”，ieee transactions on electron devices，vol.66pp.533-538(2019).
技术实现思路
1、然而，在上述非专利文献1以及非专利文献2中，除了以往的栅极以外还需要新控制集电极栅极，存在控制变得复杂这样的课题。另外，在cg-igbt为切断状态下，需要使集电极栅极电位也与集电极电位一起上升，所以需要确保与以往的栅极驱动电路绝缘。如果使用绝缘型的dcdc转换器则能够使输入信号和向集电极栅极的输出绝缘，但存在部件件数变多而成本变高这样的课题。
2、因此，需要一种栅极驱动电路，根据一般的互补的pwm信号，不仅能够驱动以往的栅极，而且还能够驱动集电极栅极。
3、本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够用低成本的结构根据与一般的igbt同样的pwm信号来驱动cg-igbt的集电极栅极的驱动电路以及具备该驱动电路的电力变换装置。
4、用于解决上述课题的本专利技术的一个形态是一种驱动电路，驱动集电极栅极控制igbt，该集电极栅极控制igbt是具备发射极、集电极、作为发射极侧的栅极的发射极栅极、以及作为集电极侧的栅极的集电极栅极的igbt，其中，驱动电路具有对发射极侧的栅极进行驱动的第1栅极驱动器、以及对集电极侧的栅极进行驱动的第2栅极驱动器，向第1栅极驱动器和第2栅极驱动器输入基于相同的驱动指令信号的信号，并且第2栅极驱动器具有被输入驱动指令信号的高耐压二极管。
5、本专利技术的更具体的结构记载在权利要求书中。
6、根据本专利技术，能够提供能够用低成本的结构根据与一般的igbt同样的pwm信号来驱动cg-igbt的集电极栅极的驱动电路以及具备该驱动电路的电力变换装置。
7、上述以外的课题、结构以及效果通过以下的实施方式的说明而会变得清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种驱动电路，驱动集电极栅极控制IGBT，该集电极栅极控制IGBT是具备发射极、集电极、作为发射极侧的栅极的发射极栅极、以及作为集电极侧的栅极的集电极栅极的IGBT，所述驱动电路的特征在于，
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的驱动电路，其特征在于，
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的驱动电路，其特征在于，
6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的驱动电路，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，
8.一种电力变换装置，其特征在于，具备：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种驱动电路，驱动集电极栅极控制igbt，该集电极栅极控制igbt是具备发射极、集电极、作为发射极侧的栅极的发射极栅极、以及作为集电极侧的栅极的集电极栅极的igbt，所述驱动电路的特征在于，
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：谷和树，原贤志，
申请(专利权)人：株式会社日立功率半导体，
类型：发明
国别省市：
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