一种带有补偿沟道的IGBT芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种带有补偿沟道的IGBT芯片，其元胞内设置左发射极区及左接触孔，右发射极区及右接触孔，P型基区内形成偏左和偏右的两个P+深阱区，这使得即使各接触孔发生一定偏移，主发射极区一侧的导电沟道阈值升高、电流降低，但左发射极区或右发射极区下方的导电沟道由于阈值降低，电流升高，从而补偿了元胞内电流的降低，保证了芯片的性能及可靠性。保证了芯片的性能及可靠性。保证了芯片的性能及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种带有补偿沟道的IGBT芯片


[0001]本专利技术涉及一种IGBT芯片，尤其涉及一种带有补偿沟道的IGBT芯片。

技术介绍

[0002]在IGBT芯片中，相邻沟槽栅之间具有向P+深阱区进行高浓度P型杂质注入的接触孔。随着沟槽型IGBT芯片性能的逐步优化，其原胞尺寸也不断减小，这使得该接触孔与相邻栅极的距离也随之减小。
[0003]由于硅片翘曲或光刻对准精度的缘故，接触孔及P型杂质不可避免的会偏离其设计中心。当该偏离超过一定范围后，就会显著增大相应沟槽的阈值电压，沟槽的导电能力被极大削弱，开通压降升高，元胞电流降低，进而降低了芯片的整体性能，使其不能达到相关参数的设计要求。

技术实现思路

[0004]针对上述接触孔及P型杂质注入偏差导致的元胞电流降低的缺陷，本专利技术的目的是提供一种带有补偿沟道的IGBT芯片，该带有补偿沟道的IGBT芯片能够有效缓解由接触孔及P型杂质注入偏差导致的元胞电流的降低。
[0005]本专利技术的带有补偿沟道的IGBT芯片，包括芯片本体，芯片本体包括N型基区、位于N型基区下方的集电极区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有补偿沟道的IGBT芯片，包括芯片本体，芯片本体包括N型基区(1)、位于N型基区下方的集电极区(2)、位于集电极区下方并与集电极区连接的集电极金属(3)、位于N型基区上方的P型基区(4)、位于P型基区上方的绝缘介质层(5)及绝缘介质层上方的发射极金属(6)，芯片本体内设有多个栅沟槽(7)，栅沟槽内设有多晶硅栅极(8)，其特征在于：相邻栅沟槽之间设有主发射极区(9)、左发射极区(10)及右发射极区(11)，所述主发射极区的两侧分别与相邻栅沟槽连接，所述左发射极区的一端与左侧相邻栅沟槽连接，另一端与右侧相邻栅沟槽隔开，所述右发射极区的右端与右侧相邻栅沟槽连接，另一端与左侧相邻栅沟槽隔开；相邻栅沟槽之间还设有顶端均...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小利，王海军，
申请(专利权)人：上海擎茂微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：