温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种带有补偿沟道的IGBT芯片，其元胞内设置左发射极区及左接触孔，右发射极区及右接触孔，P型基区内形成偏左和偏右的两个P+深阱区，这使得即使各接触孔发生一定偏移，主发射极区一侧的导电沟道阈值升高、电流降低，但左发射极区或右发射极区...
该专利属于上海擎茂微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海擎茂微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。