半导体存储器的检测电路及检测方法技术

本公开是关于一种半导体存储器的检测电路及检测方法。该检测电路包括存储单元、存储控制单元及PRBS检测电路。所述存储控制单元与所述存储单元连接，所述PRBS检测单元包括第一PRBS检测模块和第二PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块位于所述存储控制单元内，所述第二PRBS检测模块位于所述储存单元内；所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块能够产生相同的PRBS数据，其中一个PRBS检测模块能够将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的通信路径发送到另一个PRBS检测模块，另一PRBS检测模块将接收到的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述通信路径正确，若数据不一致，则判断所述通信路径出错。

Detection circuit and method of semiconductor memory

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器的检测电路及检测方法
本公开涉及半导体储存器
，具体而言，涉及一种半导体存储器的检测电路及半导体存储器的检测方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是一种半导体存储器。与静态存储器(SRAM)相比，动态随机存取存储器的优势在于结构简单。每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在静态存储器上一个比特通常需要六个晶体管。正是因此，动态随机存取存储器拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低，动态随机存取存储器得到了越来越多的应用。在高带宽显存和一些多芯片封装应用场景时，动态随机存取存储器和动态随机存取存储控制器所在芯片被封装在一块芯片中，在出错时无法量测信号，更难以区分读还是写出错。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种能够检测半导体储存器中的通信路径是否正确的新的技术方案。根据本公开的一个方面，提供了一种半导体存储器的检测电路。该检测电路包括：存储单元；存储控制单元，与所述存储单元连接；PRBS(PseudoRandomBitSequence，伪随机位序列)检测单元，包括第一PRBS检测模块和第二PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块位于所述存储控制单元内，所述第二PRBS检测模块位于所述储存单元内；所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块能够产生相同的PRBS数据，其中一个PRBS检测模块能够将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的通信路径发送到另一个PRBS检测模块，另一PRBS检测模块将接收到的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述通信路径正确，若数据不一致，则判断所述通信路径出错。在本公开的一示例性实施例中，所述第二PRBS检测模块还能够将产生的PRBS数据写入存储单元中的存储阵列模块，并能够从所述存储阵列模块读取所述PRBS数据，然后将读取的PRBS数据与产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述存储阵列模块正确，若数据不一致，则判断所述存储阵列模块出错。在本公开的一示例性实施例中，所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块产生相同的PRBS数据，所述第一PRBS模块将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的写入路径发送到所述第二PRBS检测模块，所述第二PRBS检测模块将接收的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述写入路径正确，若数据不一致，则判断写入路径出错。在本公开的一示例性实施例中，所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块产生相同的PRBS数据，所述第二PRBS模块将产生的所述PRBS数据通过所述存储单元与所述储存控制单元之间的读取路径发送到所述第一PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块将接收的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述写入路径正确，若数据不一致，则判断写入路径出错。在本公开的一示例性实施例中，所述写入路径包括第一PRBS检测模块、数据写入及读取控制模块、第一数据接口、第二数据接口、数据控制模块、第二PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块的输出端连接所述数据写入及读取控制模块，所述数据写入及读取控制模块连接所述第一数据接口，所述第一数据接口连接所述第二数据接口，所述第二数据接口连接所述数据控制模块，所述数据控制模块连接所述第二PRBS检测模块的输入端。在本公开的一示例性实施例中，所述读取路径包括第二PRBS检测模块、数据控制模块、第二数据接口、第一数据接口、数据写入及读取控制模块、第一PRBS检测模块，所述第二PRBS检测模块的输出端连接所述数据控制模块，所述数据控制模块连接所述第二数据接口，所述第二数据接口连接所述第一数据接口，所述第一数据接口连接所述数据写入及读取控制模块，所述数据写入及读取控制模块连接所述第一PRBS检测模块的输入端。在本公开的一示例性实施例中，所述第二PRBS检测模块的输入端和输出端都与存储阵列模块连接。在本公开的一示例性实施例中，所述存储阵列模块包括电容阵列与先入先出寄存器。根据本公开的另一个方面，还提供了一种半导体存储器的检测方法，所述半导体储存器包括存储单元以及与存储单元连接的存储控制单元。该检测方法包括：提供一PRBS检测单元，所述PRBS检测单元包括第一PRBS检测模块和第二PRBS检测模块；将所述第一PRBS检测模块位于所述存储控制单元内；将所述第二PRBS检测模块位于所述储存单元内；使所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块产生相同的PRBS数据；使其中一个PRBS检测模块将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的通信路径发送到另一个PRBS检测模块；使另一PRBS检测模块将接收到的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较；若数据一致，则判断所述通信路径正确；若数据不一致，则判断所述通信路径出错。在本公开的一示例性实施例中，还包括：使所述第二PRBS检测模块将产生的PRBS数据写入存储单元中的存储阵列模块；使所述第二PRBS检测模块从所述存储阵列模块读取所述PRBS数据；将读取的PRBS数据与产生的PRBS数据进行比较；若数据一致，则判断所述存储阵列模块正确；若数据不一致，则判断所述存储阵列模块出错。本公开提供的检测电路，在对存储控制单元与储存单元之间的通信路径进行检测时，只需利用其中一个PRBS检测模块从通信路径的一端输入PRBS数据，从通信路径的另一端使用另一PRBS检测模块接收该PRBS数据，并将接收的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较即可，若接收的PRBS数据与自身产生的PRBS数据经判断一致，则判断该通信路径正确，若判断不一致，则判断通该信路径出错，不需要采用反向读取数据以进行判断，避免了采用反向读取数据进行判断时，读取通信路径出错时造成无法确认该通信路径出错还是反向读取路径出错的情况出现。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开的一种实施例提供的半导体储存器的检测电路示意图；图2为本公开的一种实施例提供的半导体储存器的检测电路示意图；图3为本公开的一种实施例提供的半导体储存器的检测电路示意图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器的检测电路，其特征在于，包括：/n存储单元；/n存储控制单元，与所述存储单元连接；/nPRBS检测单元，包括第一PRBS检测模块和第二PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块位于所述存储控制单元内，所述第二PRBS检测模块位于所述储存单元内；/n所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块能够产生相同的PRBS数据，其中一个PRBS检测模块能够将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的通信路径发送到另一个PRBS检测模块，另一PRBS检测模块将接收到的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述通信路径正确，若数据不一致，则判断所述通信路径出错。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器的检测电路，其特征在于，包括：
存储单元；
存储控制单元，与所述存储单元连接；
PRBS检测单元，包括第一PRBS检测模块和第二PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块位于所述存储控制单元内，所述第二PRBS检测模块位于所述储存单元内；
所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块能够产生相同的PRBS数据，其中一个PRBS检测模块能够将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的通信路径发送到另一个PRBS检测模块，另一PRBS检测模块将接收到的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述通信路径正确，若数据不一致，则判断所述通信路径出错。


2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第二PRBS检测模块还能够将产生的PRBS数据写入所述存储单元中的存储阵列模块，并能够从所述存储阵列模模块读取所述PRBS数据，并将读取的PRBS数据与产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述存储阵列模块正确，若数据不一致，则判断所述存储阵列模块出错。


3.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块产生相同的PRBS数据，所述第一PRBS模块将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的写入路径发送到所述第二PRBS检测模块，所述第二PRBS检测模块将接收的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述写入路径正确，若数据不一致，则判断写入路径出错。


4.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块产生相同的PRBS数据，所述第二PRBS模块将产生的所述PRBS数据通过所述存储单元与所述储存控制单元之间的读取路径发送到所述第一PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块将接收的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述读取路径正确，若数据不一致，则判断读取路径出错。


5.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，所述写入路径包括第一PRBS检测模块、数据写入及读取控制模块、第一数据接口、第二数据接口、数据控制模块、第二PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块的输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓升成，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34