一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统技术方案

技术编号:24282545 阅读:38 留言:0更新日期:2020-05-23 16:49
本实用新型专利技术公开了一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统,系统使用的磁控溅射源具有管状结构特点,管状磁控溅射源管壁外侧布置有磁体且内部镶嵌有重稀土靶材,工件架安装在端盖上并可沿管状磁控溅射源轴线转动;在管状溅射源内部形成镀膜空间,由于磁控溅射放电和空心阴极放电耦合在一起,等离子体密度高,因此薄膜沉积速率远高于常规磁控溅射,同时由于管状结构特点,靶材溅出材料主要部分沉积在工件上,另外一部分则重新回到靶材表面,从而具有很高的靶材利用率,同时转动工件架上的工件沿管状源的轴线转动,均匀接收溅出材料,并形成厚度分布均匀的镝/铽镀层。

A magnetron sputtering coating system for dysprosium / terbium coating

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统
本技术涉及磁控溅射
,尤其涉及一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统。
技术介绍
烧结钕铁硼磁体单元具有优良的综合磁性能,目前已经被广泛应用在能源交通、医疗设备、电子通讯、仪器仪表等许多领域。近年来,随着新能源汽车和风力发电行业的迅猛发展,对高端烧结钕铁硼磁体单元的性能提出了新的要求,尤其是磁体单元的耐热性能。具体而言,就是要求磁体单元具有较高的最大磁能积BHmax,同时还有尽可能高的内禀矫顽力Hcj。从而保证磁体单元在高温条件下长期使用,能够保持稳定的磁性能。传统方法在磁体单元制造过程中直接添加重稀土元素Dy、Tb来提高矫顽力,但需要消耗大量的、昂贵的重稀土元素Dy和Tb。同时,重稀土元素和铁的反铁磁耦合会降低磁体单元产品的饱和磁化强度和剩余磁化强度。为解决此问题,近年来发展起来的晶界扩渗处理技术GrainBoundaryDiffusionProcessing,GBDP通过在磁体单元毛坯表面制备一层重稀土元素层,经过合适的热处理步骤后,重稀土元素会穿过烧结毛坯的晶界,扩渗到毛坯内部,并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,包括:至少一个磁控溅射单元,磁控溅射单元包括:管状溅射源(1)、转动工件架(2)、第一端盖(3)、第二端盖(4);/n管状溅射源(1)内部设有沿轴向延伸的镀膜空间,第一端盖(3)和第二端盖(4)分别密封安装在镀膜空间两端且与管状溅射源(1)绝缘连接,所述第一端盖(3)和/或第二端盖(4)上设有抽气口(81)且所述第一端盖(3)和/或第二端盖(4)上设有气体入口(82),管状溅射源(1)侧壁设有磁体单元,所述管状溅射源(1)内壁设有环形布置的靶材层(6);/n转动工件架(2)位于所述镀膜空间内部,转动工件架(2)可转动安装在第一端盖(3)...

【技术特征摘要】
1.一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,包括:至少一个磁控溅射单元,磁控溅射单元包括:管状溅射源(1)、转动工件架(2)、第一端盖(3)、第二端盖(4);
管状溅射源(1)内部设有沿轴向延伸的镀膜空间,第一端盖(3)和第二端盖(4)分别密封安装在镀膜空间两端且与管状溅射源(1)绝缘连接,所述第一端盖(3)和/或第二端盖(4)上设有抽气口(81)且所述第一端盖(3)和/或第二端盖(4)上设有气体入口(82),管状溅射源(1)侧壁设有磁体单元,所述管状溅射源(1)内壁设有环形布置的靶材层(6);
转动工件架(2)位于所述镀膜空间内部,转动工件架(2)可转动安装在第一端盖(3)和/或第二端盖(4)上。


2.根据权利要求1所述的用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,管状溅射源(1)侧壁内设有水冷腔(11);优选地,所述水冷腔(11)围绕所述镀膜空间环形布置。


3.根据权利要求2所述的用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,包括多个磁体单元,多个磁体单元设置在所述水冷腔(11)内且围绕水冷腔(11)环形分布。


4.根据权利要求3所述的用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:王君
申请(专利权)人:合肥赉晟科技有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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