【技术实现步骤摘要】
一种腔体隔绝环
本技术属于半导体加工
，涉及一种腔体隔绝环，尤其涉及一种用于半导体PVD加工的腔体隔绝环。
技术介绍
在半导体制造工艺中，随着半导体电子设备朝着紧密化的迅速发展，要求更高精度的加工处理。在这样的精细工艺中，尤其是在薄膜形成工序中，一般是利用溅射法来进行成膜。溅射法是指，在真空气氛中通过引起气体放电而产生等离子体，使该等离子体的阳离子碰撞到被称作为溅射电极的负极上设置的靶材(或者溅射靶材)上，通过该碰撞，溅射的离子附着在被处理衬底而形成薄膜的方法。目前，作为溅射法，广泛采用物理气相沉积(PVD)溅射工艺。该PVD溅射工艺是在真空腔体中进行，对于靶材施加直流电压、对于线圈施加射频电压，对于被加工物，例如衬底，施加偏置电压。在真空气氛中，通过导入工作气体产生等离子体放电，使该等离子体碰撞到靶材，这样，通过碰撞而溅射出来的金属被离子化，离子化的金属附着在作为被加工物上，由此，在作为被加工物的衬底上形成薄膜。在半导体PVD镀膜生产过程中，由于靶材表面气体氛围不均匀、磁铁组产生的磁场不均匀等各种因素...
【技术保护点】
1.一种腔体隔绝环，其特征在于，所述的腔体隔绝环包括环状主体和位于其底部的环状底座，所述的环状底座为环形凹槽结构，所述的环状主体与环状底座的外周面相接，所述的环状底座的外周壁上开设至少一个通孔。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种腔体隔绝环，其特征在于，所述的腔体隔绝环包括环状主体和位于其底部的环状底座，所述的环状底座为环形凹槽结构，所述的环状主体与环状底座的外周面相接，所述的环状底座的外周壁上开设至少一个通孔。
2.根据权利要求1所述的腔体隔绝环，其特征在于，所述的环状底座包括同心嵌套的外周环壁和内周环壁，外周环壁位于内周环壁外围，外周环壁的底部和内周环壁的底部通过环形薄层连接，所述的外周环壁、内周环壁和环形薄层形成环形凹槽结构。
3.根据权利要求2所述的腔体隔绝环，其特征在于，所述的外周环壁的厚度为3～5mm；
所述的外周环壁的内侧面直径为550～600mm。
4.根据权利要求3所述的腔体隔绝环，其特征在于，所述的内周环壁的厚度为1.5～3.5mm。
5.根据权利要求4所述的腔体隔绝环，其特征在于，所述的环形薄层的厚度≥2mm。
6.根据权利要求5所述的腔体隔绝环，其特征在于，所述的环形凹槽结构的两个外侧面之间的宽度为15～35mm。
7.根据权利要求6所述的腔体隔绝环，其特征在于，沿所述的外周环壁的环向开设至少一层通孔，位于同一层内的通孔之间的孔间距相等。
8.根据权利要求7所述的腔体隔绝环，其特征在于，沿所述的外周环壁的环向开设8层通孔，在高度方向上各层通孔之间的距离相等。
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，边逸军，汪涛，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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