一种真空蒸发镀膜方法、混合物、制备光学薄膜的方法技术

本申请公开了一种真空蒸发镀膜方法、混合物、制备光学薄膜的方法，所述方法包括：在真空蒸发设备中设置蒸镀材料及热传导材料；对所述蒸镀材料及热传导材料进行加热，以使得所述蒸镀材料蒸发至待成膜区域成膜，所述热传导材料留置于所述真空蒸发设备中。通过上述方式，本申请能够提高成膜表面的光洁度。

A vacuum evaporation coating method, mixture and preparation method of optical film

【技术实现步骤摘要】
一种真空蒸发镀膜方法、混合物、制备光学薄膜的方法
本申请涉及镀膜
，特别是涉及一种真空蒸发镀膜方法、混合物、制备光学薄膜的方法。
技术介绍
纳米结构色晶体是指光学薄膜颜料片，是由光学薄膜粉碎制成。光学薄膜一般在基板上形成，而为了提高生产效率，常常会在基板上制备多层光学薄膜，多层光学薄膜之间用牺牲层(或脱膜层)隔开，后期只需去除牺牲层即可获得光学薄膜。本申请的专利技术人在长期研究过程中发现，现有技术中形成牺牲层的方法一般为真空蒸发镀膜方法，在蒸镀材料蒸发过程中，往往会发生爆沸或者飞溅，使得所形成的牺牲层表面光洁度低，进而影响后续在牺牲层表面形成的光学膜层的表面光洁度。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种真空蒸发镀膜方法、混合物、制备光学薄膜的方法，能够提高膜层表面光洁度。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种真空蒸发镀膜方法，所述方法包括：在真空蒸发设备中设置蒸镀材料及热传导材料；对所述蒸镀材料及热传导材料进行加热，以使得所述蒸镀材料蒸发至待成膜区域成膜，所述热传导材料留置于所述真空蒸发设备中。其中，所述热传导材料和所述蒸镀材料的熔点在300℃～2500℃，且所述热传导材料的熔点大于所述蒸镀材料的沸点。其中，所述热传导材料与所述蒸镀材料混合为一体，且两者之间的质量比为1:2～2:1。其中，所述热传导材料和所述蒸镀材料分别包括氯化钠、碘化钠、硫酸钠、硫酸钾、溴化钾、溴化钠、三氧化二铝、碘化锌、硝酸钠中至少一种。其中，所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为氯化钠；或者，所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为硫酸钠；所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为溴化钠；或者，所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为氯化钠和溴化钠的混合物；或者，所述热传导材料为氯化钠、所述蒸镀材料为碘化锌；或者，所述热传导材料为硫酸钠、所述蒸镀材料为硝酸钠。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种真空蒸发镀膜用混合物，所述混合物包括蒸镀材料和热传导材料，在加热条件下，所述热传导材料能够将热量均匀稳定地传导至所述蒸镀材料，使所述蒸镀材料蒸发至待成膜区域成牺牲层，而留下所述热传导材料。其中，所述热传导材料和所述蒸镀材料的熔点在300℃～2500℃，且所述热传导材料的熔点大于所述蒸镀材料的沸点，所述热传导材料与所述蒸镀材料混合为一体，且两者之间的质量比为1:2～2:1。其中，所述热传导材料和所述蒸镀材料分别包括氯化钠、碘化钠、硫酸钠、硫酸钾、溴化钾、溴化钠、三氧化二铝、碘化锌、硝酸钠中至少一种。其中，所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为氯化钠；或者，所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为硫酸钠；所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为溴化钠；或者，所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为氯化钠和溴化钠的混合物；或者，所述热传导材料为氯化钠、所述蒸镀材料为碘化锌；或者，所述热传导材料为硫酸钠、所述蒸镀材料为硝酸钠。为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种制备光学薄膜的方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板一侧利用上述任一实施例所述的真空蒸发镀膜方法形成第一牺牲层，所述第一牺牲层由所述蒸镀材料形成；在所述第一牺牲层远离所述基板一侧形成第一光学薄膜；去除所述第一牺牲层以剥离得到所述第一光学薄膜。本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请所提供的真空蒸发镀膜方法中会在真空蒸发设备中设置蒸镀材料和热传导材料，当对蒸镀材料和热传导材料进行加热时，热传导材料使传热更稳定、温度更稳定、蒸镀材料的蒸发更平稳，降低了蒸镀材料爆沸和飞溅的情况，从而使形成的膜层(例如，牺牲层)更为光滑，表面光洁度提高；后续在该膜层(例如，牺牲层)上所形成的光学薄膜的表面光洁度提高，由光学薄膜粉碎制成的纳米结构色晶体的亮度提高。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1为本申请真空蒸发镀膜方法一实施方式的流程示意图；图2为真空蒸发设备镀膜一实施方式的结构示意图；图3为本申请制备光学薄膜的方法一实施方式的流程示意图；图4为图3中步骤S201-S203对应的一实施方式的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1为本申请真空蒸发镀膜方法一实施方式的流程示意图，该方法包括：S101：在真空蒸发设备中设置蒸镀材料及热传导材料。S102：对蒸镀材料及热传导材料进行加热，以使得蒸镀材料蒸发至待成膜区域成膜，热传导材料留置于真空蒸发设备中。具体地，在一个实施方式中，请参阅图2，图2为真空蒸发设备镀膜一实施方式的结构示意图。该真空蒸发设备1主要包括蒸镀腔体10和与蒸镀腔体10连通的抽真空系统(图未示)。蒸镀腔体10一般由金属或玻璃等制成，用于执行蒸镀工艺，抽真空系统用于对蒸镀腔体10内部进行抽真空处理。蒸镀腔体10内设置有蒸发源机构100，蒸镀材料和热传导材料置于蒸发源机构100的蒸发舟100上，蒸发舟100与外界电源连接，待镀工件12置于蒸发舟100上方，待蒸镀腔体10内抽至高真空后，适当的电流流通到蒸发舟100后，蒸发舟100因电阻效应产生热量，进而加热蒸发舟100内的蒸镀材料和热传导材料，以使得蒸镀材料蒸发至待镀工件12的表面成膜，而热传导材料仍然留置于蒸发舟100中。在一个应用场景中，热传导材料和蒸镀材料的熔点在300℃～2500℃(例如，300℃、600℃、1000℃、1500℃、2500℃等)，且热传导材料的熔点大于蒸镀材料的沸点。热传导材料的熔点与蒸镀材料的沸点差距一般越大越好，例如，热传导材料的熔点与蒸镀材料的沸点相差400℃、200℃等。在一个实施例中，可以将蒸发舟内的温度控制在热传导材料的熔点与蒸镀材料的沸点之间，进而使得蒸镀材料熔化并蒸发，而热传导材料不熔化。在又一个应用场景中，热传导材料和蒸镀材料分别包括氯化钠(熔点为801℃、沸点为1465℃)、碘化钠(熔点为651℃、沸点为1304℃)、硫酸钠(熔点为884℃、沸点为1404℃)、硫酸钾(熔点为1067℃、沸点为1689℃)、溴化钾(熔点为734℃、沸点为1380℃)、溴化钠(熔点为747℃、沸点为1390℃)、三氧化二铝(熔点为2054℃、沸点为2980℃)、碘化锌、(熔点为446℃、沸点为625℃)、硝酸钠(熔点为306℃、沸点为380℃)中至少一种，即热传导材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空蒸发镀膜方法，其特征在于，所述方法包括：/n在真空蒸发设备中设置蒸镀材料及热传导材料；/n对所述蒸镀材料及热传导材料进行加热，以使得所述蒸镀材料蒸发至待成膜区域成膜，所述热传导材料留置于所述真空蒸发设备中。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空蒸发镀膜方法，其特征在于，所述方法包括：
在真空蒸发设备中设置蒸镀材料及热传导材料；
对所述蒸镀材料及热传导材料进行加热，以使得所述蒸镀材料蒸发至待成膜区域成膜，所述热传导材料留置于所述真空蒸发设备中。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热传导材料和所述蒸镀材料的熔点在300℃～2500℃，且所述热传导材料的熔点大于所述蒸镀材料的沸点。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热传导材料与所述蒸镀材料混合为一体，且两者之间的质量比为1:2～2:1。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热传导材料和所述蒸镀材料分别包括氯化钠、碘化钠、硫酸钠、硫酸钾、溴化钾、溴化钠、三氧化二铝、碘化锌、硝酸钠中至少一种。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为氯化钠；或者，
所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为硫酸钠；
所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为溴化钠；或者，
所述热传导材料为三氧化二铝、所述蒸镀材料为氯化钠和溴化钠的混合物；或者，
所述热传导材料为氯化钠、所述蒸镀材料为碘化锌；或者，
所述热传导材料为硫酸钠、所述蒸镀材料为硝酸钠。


6.一种真空蒸发镀膜用混合物，其特征在于，所述混合物包括蒸镀材料和热传导材料，在加热条件下，所述热传导材料能够将热...

【专利技术属性】
技术研发人员：马道远，
申请(专利权)人：深圳市融光纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44