金属引线框架与半导体封装构造制造技术

本实用新型专利技术涉及金属引线框架与半导体封装构造，引线框架包括多个用于电连接芯片的引脚与用于承载芯片在沉置区的基岛结构，基岛结构是基于沉置区分裂出的多个基岛部或是由两个或两个以上的引脚内端整合延伸成的一个或一个以上的基岛部，基岛部经由沉置弯折部一体连接至相邻的引脚的内接部，基岛部相对于沉置区侧边的宽度是内接部未整合的单元宽度的三倍以上，本实用新型专利技术具有适用范围广、多基导、成本低和扩展性好等优点。

Metal lead frame and semiconductor package construction

【技术实现步骤摘要】
金属引线框架与半导体封装构造
本技术涉及使用引线框架(leadframe)的半导体封装的
，尤其是涉及金属引线框架与半导体封装构造(semiconductorpackage)。
技术介绍
使用金属引线框架进行芯片承载与电连接的半导体封装已经是一种非常普及的贴片式封装形式,例如SOP7、SOP8封装工艺。通常SOP(SmallOutlinePackage)是指小外形封装,封装体两侧延伸有引脚，供表面接合,它被目前的半导体芯片封装所普遍采用,这是因为这类封装工艺非常成熟且成本相对于使用PCB的封装成本更低;同时具备表面结合面积小与封装效率高等优点。但是传统的封装框架是基于芯片的数量与安装位置需要设计对应形状与位置的单基岛或双基岛的引线框架。故目前业内亟需一种具有通用性适用范围广、多基导、成本低和扩展性好的封装引线框架。原申请人在中国技术专利授权公告号CN208806252U公开了一种新型的SOP封装引线框架，包括用于承载MOSFET或芯片的基岛、基岛引脚、芯片其他引脚及侧连筋，侧连筋与芯片其他引脚共同支撑起基岛，基岛引脚个数至少为一个，基岛引脚与基岛之间还设置有对MOSFET或芯片进行散热的散热片。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的一是提供一种金属引线框架。本技术的目的二是提供一种使用该金属引线框架的半导体封装构造。本技术达成上述目的一是通过以下技术方案得以实现的：提出一种金属引线框架，包括：多个用于电连接芯片的引脚与用于承载芯片在沉置区的基岛结构(diepad)，所述基岛结构是基于沉置区分裂出的多个基岛部或是由两个或两个以上的所述引脚的内端整合延伸成的一个或一个以上的基岛部，所述基岛部经由沉置弯折部一体连接至相邻的所述引脚的内接部，所述基岛部相对于沉置区侧边的宽度是所述内接部未整合的单元宽度的三倍以上。通过采用上述基础技术方案，利用基岛结构的特定分裂形态或特定整合形态且高度位于沉置区的一体连接，能够实现一种具有通用性适用范围广、多基导、成本低和扩展性好的引线框架。本技术进一步设置为：当所述基岛结构是相对于沉置区分裂成的多个基岛部，所述基岛部为对称配置，并且所述基岛部之间形成的裂缝不超过所述内接部的单元宽度的两倍。通过采用上述优选技术方案，利用分裂成多个基岛部的基岛结构的对称配置与之间的裂缝，所述基岛部能够大比例覆盖所述沉置区，以有效承载芯片并节省了封装工艺时连筋的配置数量与空间。本技术进一步设置为：所述引脚的外脚部的配置位置符合SOP8封装架构。通过采用上述优选技术方案，利用外脚部的配置位置符合SOP8封装架构，适用于SOP8封装工艺且芯片安装具有共用性。本技术进一步设置为：还包括连筋(tiebar)，一体连接至所述基岛部与所述内接部连接侧不同的另一侧。通过采用上述优选技术方案，利用连筋的一体连接，增加所述基岛部在封装工艺中的沉置定位效果。本技术进一步设置为：当所述基岛结构是由两个或两个以上的所述引脚的内端整合延伸成的一个或一个以上的基岛部，所述引脚连接所述基岛部的内接部整合一起。通过采用上述优选技术方案，利用整合延伸成的基岛部构成基岛结构且整合内接部，能够增加承载芯片能力并节省了封装工艺时连筋的配置数量与空间。本技术进一步设置为：所述引脚的外脚部的配置位置符合SOP7封装架构。通过采用上述优选技术方案，利用外脚部的配置位置符合SOP7封装架构，适用于SOP7封装工艺且芯片安装具有共用性。本技术进一步设置为：所述引脚中连接有所述基岛部的外脚部整合成在模封区外的合并引脚，所述合并引脚的宽度在未整合的单元宽度的三倍以上，以占据多个脚位。通过采用上述优选技术方案，利用合并引脚与具有三倍以上引脚宽度，能够进行SOP7表面接合且具有较优的芯片对外导热效果。本技术进一步设置为：所述基岛部在用于固定芯片的另一侧背面设置有多个阵列分散的胶封凹穴。通过采用上述优选技术方案，利用胶封凹穴的特定位置与排布方式，克服受到金属引线框架与封装胶体之间热膨胀系数差异造成的芯片分层剥离，在制作成封装产品后所述基岛部在受热膨胀时会受到胶封凹穴内封装胶体的约制。本技术进一步设置为：所述胶封凹穴的深度介于所述基岛部的厚度三分之一与三分之二之间。通过采用上述优选技术方案，利用所述胶封凹穴的特定深度范围，胶封凹穴内封装胶体不会贯穿所述基岛部并且与所述基岛部有良好的抗膨胀结合。本技术达成上述目的二是通过以下技术方案得以实现的：提出一种半导体封装构造，包括：由上述任一技术方案的金属引线框架构成的多个用于电连接芯片的引脚与用于承载芯片在沉置区的基岛结构、安装在所述基岛结构上的芯片及密封所述芯片的封装胶体。通过采用上述基础技术方案，利用特定金属引线框架的引脚与基岛结构，只要芯片的总面积在沉置区中，芯片由一个到多个甚至四个芯片都能够平行配置于沉置区上且位置具有可调整性，并能够顺利密封在封装构造中，不会有上下模流失衡的问题。综上所述，本技术包括以下所述至少一种的有益技术效果：1.能够安装单个芯片或多个芯片在沉置区，以单一金属框架的多个基导部加强芯片固定，具有适用范围广、多基导、成本低和扩展性好等优点;2.通过基导部背面的胶封凹穴来增加基导金属与封装塑胶材料的附着力，减小芯片分层的风险;3.实现例如SOP7、SOP8等有限的封装尺寸内多基导多芯片的封装并能保证基导在封装工艺的稳定性。附图说明图1是本技术第一实施例的金属引线框架的局部平面结构示意图；图2是图1中一基导部的剖切的放大示意图；图3是使用图1金属引线框架的一种半导体封装构造沿着引脚延伸方向剖切的截面示意图；图4是本技术第二实施例的金属引线框架的局部平面结构示意图；图5是使用图4金属引线框架的一种半导体封装构造沿着引脚延伸方向剖切的的截面示意图；图6是使用本技术金属引线框架的一种SOP8半导体封装构造的立体示意图；图7是使用本技术金属引线框架的另一种SOP8半导体封装构造的立体示意图；图8是使用本技术金属引线框架的一种SOP7半导体封装构造的立体示意图。附图标记：10、引脚;10A、合并引脚;11、内接部;11A、整合内接部;12、沉置弯折部;13、外脚部;20、沉置区;21、基岛部;22、胶封凹穴;30、连筋;40、阻拦筋;210、芯片;220、封装胶体。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是作为本技术的一部分实施例，而不是代表全部的实施例，其目的是用于解释权利要求的记载特征，不是用于限定权利要求的保护范围。基于本技术的实施例中表现的专利技术构思，本领域技术人员在充分理解后所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属引线框架，包括：多个用于电连接芯片(210)的引脚(10)与用于承载芯片(210)在沉置区(20)的基岛结构，其特征在于，所述基岛结构是基于沉置区(20)分裂出的多个基岛部(21)或是由两个或两个以上的所述引脚(10)的内端整合延伸成的一个或一个以上的基岛部(21)，所述基岛部(21)经由沉置弯折部(12)一体连接至相邻的所述引脚(10)的内接部(11)，所述基岛部(21)相对于沉置区(20)侧边的宽度是所述内接部(11)未整合的单元宽度的三倍以上。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属引线框架，包括：多个用于电连接芯片(210)的引脚(10)与用于承载芯片(210)在沉置区(20)的基岛结构，其特征在于，所述基岛结构是基于沉置区(20)分裂出的多个基岛部(21)或是由两个或两个以上的所述引脚(10)的内端整合延伸成的一个或一个以上的基岛部(21)，所述基岛部(21)经由沉置弯折部(12)一体连接至相邻的所述引脚(10)的内接部(11)，所述基岛部(21)相对于沉置区(20)侧边的宽度是所述内接部(11)未整合的单元宽度的三倍以上。


2.根据权利要求1所述的金属引线框架，其特征在于：当所述基岛结构是相对于沉置区(20)分裂成的多个基岛部(21)，所述基岛部(21)为对称配置，并且所述基岛部(21)之间形成的裂缝不超过所述内接部(11)的单元宽度的两倍。


3.根据权利要求2所述的金属引线框架，其特征在于：所述引脚(10)的外脚部(13)的配置位置符合SOP8封装架构。


4.根据权利要求1所述的金属引线框架，其特征在于：还包括连筋(30)，一体连接至所述基岛部(21)与所述内接部(11)连接侧不同的另一侧。


5.根据权利要求1所述的金属引线框架，其特征在于：当所述基岛结构是由两个或两个以上的所述引...

【专利技术属性】
技术研发人员：何刚，
申请(专利权)人：深圳市诚芯微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44