一种离子植入设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种离子植入设备，包括：排气单元，用于排出未参与离子植入的离子束，所述排气单元包括：排气泵，用于为排出未参与离子植入的离子束提供动力；气体净化单元，用于对未参与离子植入的离子束进行净化；以及连接管，连接于所述排气泵和所述气体净化单元，所述连接管的外表面设置有由绝缘材料制成的绝缘管套，所述连接管包括分别连接于所述排气泵和所述气体净化单元之间的第一连接管和第二连接管，第一连接管和第二连接管能够择一地连通所述排气泵和所述气体净化单元，以在不影响所述排气单元正常运行的前提下实现对未连通的所述第一连接管或第二连接管的更换，减少了更换连接管时设备宕机的时间，提高了设备的利用率。

An ion implantation device

【技术实现步骤摘要】
一种离子植入设备
本技术涉及半导体
，更详细地说，本技术涉及一种离子植入设备。
技术介绍
现有的离子植入设备，通常通过排气单元将未参与离子植入的离子束排出，排气单元包括：排气泵，用于为排出未参与离子植入的离子束提供动力；气体净化单元，用于对未参与离子植入的离子束进行净化；以及连接管，连接于排气泵和气体净化单元之间，连接管的外表面设置有由绝缘材料制成的绝缘管套，随着过货量的增加，绝缘管套容易因为脏污、剥落等原因而影响绝缘性，进而导致处于高压电区的离子束筛选单元因电势差而变得不稳定、甚至产生电弧，现有的绝缘管套在绝缘性较差时，设备的处理单元会发出警报，这时需要宕机来对连接管进行更换，这导致了设备的利用率较低，影响了生产效率。因此，有必要对现有的离子植入设备加以改进。
技术实现思路
为了解决现有技术中的上述问题，即提供一种能够减少离子植入设备宕机时间，提高离子植入设备利用率的离子植入设备。本技术所提供的离子植入设备，包括：排气单元，用于排出未参与离子植入的离子束，排气单元包括：排气泵，用于为排出未参与离子植入的离子束提供动力；气体净化单元，用于对未参与离子植入的离子束进行净化；以及连接管，连接于排气泵和气体净化单元，连接管的外表面设置有由绝缘材料制成的绝缘管套，连接管包括分别连接于排气泵和气体净化单元之间的第一连接管和第二连接管，第一连接管和第二连接管能够通过通断控制择一地连通排气泵和气体净化单元。和现有的离子植入设备相比，本技术能够通过第一连接管和第二连接管的通断的切换，保持离子植入设备的正常运行，减少了设备宕机的时间，提高了设备的利用率。在本技术的较优技术方案中，还包括处理单元，处理单元能够在绝缘管套的导电率超过阈值时发出警报。在本技术的较优技术方案中，第一连接管和第二连接管上分别设置有用于控制第一连接管和第二连接管通断的第一控制阀和第二控制阀，处理单元与第一控制阀和第二控制阀电性连接并能够控制第一控制阀和第二控制阀的开闭。在本技术的较优技术方案中，处理单元能够在警报发出时切换第一控制阀和第二控制阀的开闭状态。在该技术方案中，通过处理单元实现了第一控制阀和第二控制阀的自动切换，使得设备的使用更为智能化。在本技术的较优技术方案中，还包括：离子束筛选单元，用于自离子束中将杂质气体筛出，排气泵设置于离子束筛选单元内部。在本技术的较优技术方案中，还包括：离子束源，与离子束筛选单元相连接，以用于向离子植入设备提供离子束。在本技术的较优技术方案中，气体净化单元设置于离子束筛选单元外部。在本技术的较优技术方案中，离子束筛选单元包括90度磁场区和70度磁场区，排气泵设置于90度磁场区。在本技术的较优技术方案中，还包括离子植入单元，用于容置晶圆，离子束经离子束筛选单元筛选后进入离子植入单元以进行离子植入。在本技术的较优技术方案中，第一控制阀和第二控制阀为氮气电磁阀。附图说明图1是本技术较优实施方式的离子植入设备的结构示意图。附图标记说明：100-离子植入设备；1-离子束源，11-离子束，12-带束；2-离子束筛选单元，21-90度磁场区，22-70度磁场区；3-离子植入单元；4-液晶；5-排气单元；6-排气泵；7-气体净化单元；8-连接管，81-第一连接管，82-第二连接管，83-第一控制阀，84-第二控制阀。具体实施方式下面参照附图来描述本技术的优选技术方案。本领域技术人员应当理解的是，这些技术方案仅仅用于解释本技术的技术原理，并非旨在限制本技术的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其做出调整，以便适应具体的应用场合。需要说明的是，在本技术的优选实施例的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或组成部分必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。如图1所示，本实施例的优选技术方案所提供的离子植入设备100，包括：离子束源1，用于向离子植入设备100提供离子束11；离子束筛选单元2，用于自离子束11中将杂质气体筛出；离子植入单元3，用于容置晶圆4，与离子束筛选单元2相连接以供离子植入；排气单元5，用于排出未参与离子植入的离子束11，排气单元5包括：排气泵6，用于为排出未参与离子植入的离子束11提供动力；气体净化单元7，用于对未参与离子植入的离子束11进行净化；以及连接管8，连接于排气泵6和气体净化单元7之间，连接管8的外表面设置有由绝缘材料制成的绝缘管套(未图示)；离子束筛选单元2包括90度磁场区21和70度磁场区22，其中，90度磁场区21用于将杂质气体自离子束11中筛出，70度磁场区22用于矫正经筛选后的离子束11的角度并使离子束11自发散状态聚集成带束12，在某些实施例中，离子束11可穿过加速塔(未图示)，加速塔可选择地控制离子束11的能量并有助于造成离子束11至晶圆4内所需要的浓度和穿入程度，带束12轰击置于离子植入单元3的晶圆4，以实现晶圆4的离子植入，其中，排气单元5用于排出未参与离子植入的离子束11，排气泵6设置于离子束筛选单元2内，进一步的，排气泵6设置于90度磁场区21内，气体净化单元7设置于离子束筛选单元2外部，由于90度磁场区21为具有高电压的磁场区，而气体净化单元7处于接地的低电势区，因此，需要保持连接管8的绝缘性，以避免90度磁场区的高电压因90度磁场区和气体净化单元7之间的电势差而变得不稳定、产生电弧，因此在连接管8的外表面设置了绝缘管套，随着过货量的增加，绝缘管套容易因为脏污、剥落等原因而影响绝缘性，离子植入设备100还包括处理单元(未图示)，处理单元能够在绝缘管套的导电率超过阈值时判定绝缘管套的绝缘性发生问题，并发出警报。具体地，连接管8包括分别连接于排气泵6和气体净化单元7之间的第一连接管81和第二连接管82，第一连接管81和第二连接管82能够通过通断控制择一地连通排气泵6和气体净化单元7，以在不影响排气单元5正常运行的前提下实现对未连通的第一连接管81或第二连接管82的更换，也即，在离子植入设备100运行时，第一连接管81和第二连接管82中只有一个管路是导通的，而另一个是断开的，下面以初始状态下第一连接管81是导通的为例进行说明，第一连接管81和第二连接管82上分别设置有用于控制第一连接管81和第二连接管82通断的第一控制阀83和第二控制阀84，处理单元与第一控制阀83和第二控制阀84电性连接并能够控制第一控制阀83和第二控制阀84的开闭，处理单元能够在警报发出时切换第一控制阀83和第二控制阀84的开闭状态，在初始状态下第一控制阀83是打开的，第二控制阀84是关闭的，当警报发出后，第一控制阀83关闭，第二控制阀84打开，也即第一连接管81断开以供用户更换，第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入设备，包括：/n排气单元，用于排出未参与离子植入的离子束，所述排气单元包括：/n排气泵，用于为排出未参与离子植入的离子束提供动力；/n气体净化单元，用于对未参与离子植入的离子束进行净化；以及/n连接管，连接于所述排气泵和所述气体净化单元之间，所述连接管的外表面设置有由绝缘材料制成的绝缘管套，其特征在于：/n所述连接管包括分别连接于所述排气泵和所述气体净化单元之间的第一连接管和第二连接管，第一连接管和第二连接管能够通断控制择一地连通所述排气泵和所述气体净化单元。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子植入设备，包括：
排气单元，用于排出未参与离子植入的离子束，所述排气单元包括：
排气泵，用于为排出未参与离子植入的离子束提供动力；
气体净化单元，用于对未参与离子植入的离子束进行净化；以及
连接管，连接于所述排气泵和所述气体净化单元之间，所述连接管的外表面设置有由绝缘材料制成的绝缘管套，其特征在于：
所述连接管包括分别连接于所述排气泵和所述气体净化单元之间的第一连接管和第二连接管，第一连接管和第二连接管能够通断控制择一地连通所述排气泵和所述气体净化单元。


2.如权利要求1所述的离子植入设备，其特征在于，还包括处理单元，所述处理单元能够在所述绝缘管套的导电率超过阈值时发出警报。


3.如权利要求2所述的离子植入设备，其特征在于，所述第一连接管和所述第二连接管上分别设置有用于控制所述第一连接管和所述第二连接管通断的第一控制阀和第二控制阀，所述处理单元与所述第一控制阀和所述第二控制阀电性连接并能够控制所述第一控制阀和所述第二控制阀的开闭。


4.如权利要求3所述的离子植入设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文彬，廖宜专，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32