产生布局图案的方法技术

一种产生布图案的方法，包括当在由带电粒子束直接地曝露在能量敏感的材料上的布局图案的一或多个特征时，决定第一能量密度，第一能量密度间接地曝露在能量敏感的材料上的布局图案的一或多个特征中的第一特征。此方法也包括当由带电粒子束直接地曝露第一特征时，调整曝露第一特征的第二能量密度。第一特征的总能量密度，包含来自间接曝露的第一能量密度和来自直接曝露的第二能量密度的总合，第一特征的总能量密度维持在大约一阈值能量级，以完全地曝露在能量敏感的材料中的第一特征。

How to generate layout patterns

【技术实现步骤摘要】
产生布局图案的方法
本揭示内容大致上是关于带电粒子的微影系统和方法。
技术介绍
微影用于图案化由阻剂材料所覆盖的半导体晶圆的表面。对于选择性的制程，例如蚀刻、材料沉积、布植、或类似者，将阻剂材料图案化，使得部分的阻剂材料可被选择性地移除，以曝露在下方的半导体晶圆的区域。光微影利用光能，包括紫外光或X射线，选择性曝露阻剂材料。或者，带电粒子束，例如电子束和离子束，已经用于高解析度微影的阻剂曝露。进入正被曝露的阻剂材料的一些电子或离子可能散射(scattered)在周围并进入相邻的区域中。散射可能导致电子或离子进入正被直接地曝露的阻剂材料之外的区域中的阻剂材料。散射可能导致与正被直接地曝露的阻剂材料邻近的区域的间接曝露。因此，在电子束或离子束能量传送过程中，需要调整传送到阻剂材料的能量的曝露时间和量值，使得阻剂的选定的位置被完全地曝露，而相邻的区域没有被明显地曝露。
技术实现思路
本揭示内容的一态样提供了一种产生一布局图案的方法，包含：当由一带电粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一布局图案的一或多个特征时，决定一第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种产生一布局图案的方法，其特征在于，包含：/n当由一带电粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一布局图案的一或多个特征时，决定一第一能量密度，该第一能量密度间接地曝露到该能量敏感的材料上的该布局图案的所述一或多个特征中的一第一特征；以及/n当由该带电粒子束直接地曝露该第一特征时，调整曝露到该第一特征的一第二能量密度，使得由该第一特征接收的一总能量密度是来自间接曝露的该第一能量密度和来自直接曝露的该第二能量密度，并且将该总能量密度维持在一阈值能量级，以完全地曝露在该能量敏感的材料中的该第一特征。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,909;20191025 US 16/664,4251.一种产生一布局图案的方法，其特征在于，包含：
当由一带电粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一布局图案的一或多个特征时，决定一第一能量密度，该第一能量密度...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆文，张世明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71