产生布局图案的方法技术

一种产生布图案的方法，包括当在由带电粒子束直接地曝露在能量敏感的材料上的布局图案的一或多个特征时，决定第一能量密度，第一能量密度间接地曝露在能量敏感的材料上的布局图案的一或多个特征中的第一特征。此方法也包括当由带电粒子束直接地曝露第一特征时，调整曝露第一特征的第二能量密度。第一特征的总能量密度，包含来自间接曝露的第一能量密度和来自直接曝露的第二能量密度的总合，第一特征的总能量密度维持在大约一阈值能量级，以完全地曝露在能量敏感的材料中的第一特征。

How to generate layout patterns

【技术实现步骤摘要】
产生布局图案的方法
本揭示内容大致上是关于带电粒子的微影系统和方法。
技术介绍
微影用于图案化由阻剂材料所覆盖的半导体晶圆的表面。对于选择性的制程，例如蚀刻、材料沉积、布植、或类似者，将阻剂材料图案化，使得部分的阻剂材料可被选择性地移除，以曝露在下方的半导体晶圆的区域。光微影利用光能，包括紫外光或X射线，选择性曝露阻剂材料。或者，带电粒子束，例如电子束和离子束，已经用于高解析度微影的阻剂曝露。进入正被曝露的阻剂材料的一些电子或离子可能散射(scattered)在周围并进入相邻的区域中。散射可能导致电子或离子进入正被直接地曝露的阻剂材料之外的区域中的阻剂材料。散射可能导致与正被直接地曝露的阻剂材料邻近的区域的间接曝露。因此，在电子束或离子束能量传送过程中，需要调整传送到阻剂材料的能量的曝露时间和量值，使得阻剂的选定的位置被完全地曝露，而相邻的区域没有被明显地曝露。
技术实现思路
本揭示内容的一态样提供了一种产生一布局图案的方法，包含：当由一带电粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一布局图案的一或多个特征时，决定一第一能量密度，该第一能量密度间接地曝露到该能量敏感的材料上的该布局图案的所述一或多个特征中的一第一特征；以及当由该带电粒子束直接地曝露该第一特征时，调整曝露到该第一特征的一第二能量密度，使得由该第一特征接收的一总能量密度是来自间接曝露的该第一能量密度和来自直接曝露的该第二能量密度，并且将该总能量密度维持在大约一阈值能量级，以完全地曝露在该能量敏感的材料中的该第一特征。>附图说明本揭示内容在结合附图阅读以下详细说明时得以最清晰地理解。应注意的是，依据产业中的标准实务，各种特征并非按比例绘制，且仅用于说明的目的。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于论述明晰。图1A和图1B示出电子束微影系统的示意图；图2A和图2B绘示根据本揭示内容的一些实施方式将由电子束微影系统在阻剂材料上产生的布局图案；图3A、图3B、和图3C分别地示出由电子束微影系统产生的阻剂的布局图案的截面视图、由电子束微影系统传送到阻剂材料的能量密度，和由电子束微影系统传送到阻剂材料的能量密度的曲线图；图4A、图4B、和图4C分别地示出根据本揭示内容的一些实施方式的由电子束微影系统产生的阻剂的布局图案的截面视图、由电子束微影系统传送到阻剂材料的能量密度，和由电子束微影系统传送到阻剂材料的能量密度的曲线图；图5A、图5B、和图5C分别地示出根据本揭示内容的一些实施方式的由电子束微影系统产生的阻剂的布局图案的截面视图、由电子束微影系统传送到阻剂材料的能量密度，和由电子束微影系统传送到阻剂材料的能量密度的曲线图；图6绘示根据本揭示内容的一些实施方式的将由电子束微影系统在阻剂材料上产生的布局图案；图7A、图7B、和图7C分别地示出根据本揭示内容的一些实施方式的由电子束微影系统产生的阻剂的布局图案的截面视图、由电子束微影系统传送到阻剂材料的能量密度，和由电子束微影系统传送到阻剂材料的能量密度的曲线图；图8示出根据本揭示内容的一些实施方式的控制系统，用于控制由电子束传送到在晶圆上的阻剂材料的能量的量值，以在晶圆上产生布局图案；图9绘示根据本揭示内容的一些实施方式的示例性制程的流程图，此流程图用于控制由电子束传送到在晶圆上的阻剂材料的能量的量值，以在晶圆上产生布局图案；图10A和图10B绘示根据本揭示内容的一些实施方式的一设备，此设备用于控制由电子束传送到在晶圆上的阻剂材料的能量的量值，以在晶圆上产生布局图案。【符号说明】100...电子束微影术系统102...电子源104...束形成单元106...聚焦透镜108...快门偏转器单元109...聚焦透镜110...平台111...暗条112...布局图案112A...布局图案112B...布局图案112C...布局图案113...密集区域114...暗条114A...分散区域114B...分散区域115...中央暗条116...亮条120...半导体晶圆122...Y方向124...X方向126...边缘部分128...中间部分130...电子发射132...电子束134...电子束135...控制器204...座标205...高度206...座标207...座标209...能量密度函数210...阈值能量级215...能量密度216...区域217...总能量密度218...区域219...能量密度220...能量级225...包络线226...关键尺寸228...宽度236...关键尺寸238...宽度304...座标305...高度306...座标307...座标309...能量密度函数310...阈值能量级315...能量密度317...总能量密度319...能量密度320...能量级325...包络线326...关键尺寸328...宽度330...座标335...包络线336...关键尺寸338...宽度404...座标405...高度406...座标407...座标409...能量密度函数410...阈值能量级415...能量密度417...能量密度419...能量密度425...包络线426...关键尺寸428...宽度435...包络线436...关键尺寸438...宽度704...座标705...高度706...座标707...座标709...能量密度函数710...阈值能量级715...能量密度717...能量密度719...箭头725...包络线726...关键尺寸727...包络线728...宽度735...包络线736...关键尺寸737...包络线738...宽度800...控制系统802...平台控制器804...带电粒子快门控制器806...电粒子束源控制器808...带电粒子束偏转器控制器809...透镜控制器810...布局图案812...编排814...电子束信息820...阻剂材料信息830...分析器模块840...主控制器900本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种产生一布局图案的方法，其特征在于，包含：/n当由一带电粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一布局图案的一或多个特征时，决定一第一能量密度，该第一能量密度间接地曝露到该能量敏感的材料上的该布局图案的所述一或多个特征中的一第一特征；以及/n当由该带电粒子束直接地曝露该第一特征时，调整曝露到该第一特征的一第二能量密度，使得由该第一特征接收的一总能量密度是来自间接曝露的该第一能量密度和来自直接曝露的该第二能量密度，并且将该总能量密度维持在一阈值能量级，以完全地曝露在该能量敏感的材料中的该第一特征。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,909;20191025 US 16/664,4251.一种产生一布局图案的方法，其特征在于，包含：
当由一带电粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一布局图案的一或多个特征时，决定一第一能量密度，该第一能量密度...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆文，张世明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71