改善的离子束流的装置与方法制造方法及图纸

技术编号:24044039 阅读:36 留言:0更新日期:2020-05-07 04:22
一种装置可包括:电极系统,所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔;以及电压电源,用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成,其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极,所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动,以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。

Device and method of improved ion beam current

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改善的离子束流的装置与方法
本专利技术大体来说涉及用于离子植入的装置及技术,且更具体来说涉及改善在离子束减速之后递送到衬底的电流。
技术介绍
离子植入是一种用于通过轰击将掺杂剂、添加剂或杂质引入到衬底中的工艺。已知的离子植入系统或离子植入装置可包括离子源及一系列束线组件。离子源可包括在其中产生所需离子的腔室。离子源还可包括设置在腔室附近的电源及提取电极总成。束线组件可例如包括质量分析仪、第一加速级或减速级、准直器及第二加速级或减速级。在已知的离子植入机中,最终的减速级可在离子束冲击衬底之前使离子束减速并且对离子束进行塑形并改变离子束的传播方向。减速级可被设计为具有多个电极的电极系统,在所述多个电极中施加不同的电压以在离子束从减速级出射之前对离子束进行导向、对离子束进行塑形并使离子束减速。在已知的减速级中,束可在成对的对置电极之间被导向,所述成对的对置电极界定间隙区,离子束可在所述间隙区中传播而不撞击电极。对于低能量离子束,离子束在与传播方向垂直的方向上的束高度往往较大。因此,在已知的离子植入机中,减速级可被设计成在各对置的电极之间具有足本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置,包括:/n电极系统,所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔;以及/n电压电源,用以对所述电极系统施加多个电压,/n其中所述电极系统包括出射电极总成,所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极,所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开,其中所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动,以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170908 US 15/699,2551.一种装置,包括:
电极系统,所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔;以及
电压电源,用以对所述电极系统施加多个电压,
其中所述电极系统包括出射电极总成,所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极,所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开,其中所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动,以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。


2.根据权利要求1所述的装置,进一步包括马达,所述马达机械耦合到所述出射电极总成且向所述出射电极总成供应线性运动。


3.根据权利要求1所述的装置,进一步包括控制器,以响应于用户输入而供应控制信号来调整所述电极间隙。


4.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一出射电极及所述第二出射电极包括轴杆,其中所述轴杆包括轴杆中心,且其中所述轴杆能够围绕旋转轴旋转,所述旋转轴相对于所述轴杆中心移置。


5.根据权利要求1所述的装置,其中所述间隙范围是至少25mm。


6.根据权利要求1所述的装置,其中所述电极间隙的最大值为98mm,所述电极间隙的最小值为63mm。


7.根据权利要求1所述的装置,其中所述电极系统进一步包括多个减速电极,所述多个减速电极较靠近所述进入开孔而设置在所述出射电极总成的上游。


8.一种用于离子植入的系统,包括:
离子源,被安置成产生离子束;
电极系统,所述电极系统包括多个电极以将所述离子束从进入开孔导向到出射开孔;以及
电压电源,用以对所述电极系统施加多个电压,其中所述电极系统进一...

【专利技术属性】
技术研发人员:常胜武法兰克·辛克莱亚历山大·利坎斯奇菲力浦·莱恩
申请(专利权)人:瓦里安半导体设备公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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