一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，属于半导体工艺设备技术领域，其技术方案要点是，包括外弯管和内弯管，外弯管上端口的外沿铸有第一凸缘，第一凸缘的上端面同轴开设有嵌入槽，嵌入槽的侧壁径向开设有四个插槽；内弯管从外弯管的上端口插入至外弯管的内部，内弯管上端口的外沿铸有第二凸缘，第二凸缘的侧壁径向开设有四个滑槽，滑槽的上壁开设有与第二凸缘的上端面相贯通的开口，每个滑槽的内部均滑动设置有插块。该种耐冲击离子传输管具有很好的耐冲击性，即使长年累月受到高温、高速离子束的冲击，也不容易被击穿、出现漏点，确保离子注入机能够长期正常使用，同时维修起来也方便。

An ion transfer tube with good impact resistance at the front end of mass analyzer of ion implanter

【技术实现步骤摘要】
一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管
本技术涉及半导体工艺设备
，具体为一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管。
技术介绍
在半导体生产工艺中，主流的杂质掺杂技术都采用离子注入技术，一般采用离子注入机实现离子注入技术。这种方法是由离子源产生等离子体，再通过质谱分析将所需的离子组分提取出来，对离子加速形成具有一定速度的离子束，并注入到半导体基片中，因此离子注入机是半导体生产工艺中十分常用的设备。质量分析器是离子注入机的核心部件，它是依据不同方式将离子源中生成的样品离子按质荷比的大小分开的仪器，可以将所需要的杂质离子从混合的离子束中分离出来。在离子源与质量分析器之间，即质量分析器的前端连接有用于传输离子束的管道，其中单聚焦质量分析器与离子源之间的管道为具有一定半径的圆弧型管道，由于离子注入机造价昂贵，且制造技术较为精尖，因此设备投入使用数十年已经是非常常见的事，正是因为这样长时间的投入使用，现有的质量分析器前端的离子传输管长年累月受到高温、高速离子束的冲击，很容易被击穿，出现漏点，影响离子注入机的正常使用，并且维修起来也很不方便。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，该种耐冲击离子传输管具有很好的耐冲击性，即使长年累月受到高温、高速离子束的冲击，也不容易被击穿、出现漏点，确保离子注入机能够长期正常使用，同时维修起来也方便。本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，包括外弯管和内弯管，所述外弯管上端口的外沿铸有第一凸缘，所述第一凸缘的上端面同轴开设有嵌入槽，所述嵌入槽的侧壁径向开设有四个插槽；所述内弯管从所述外弯管的上端口插入至所述外弯管的内部，所述内弯管上端口的外沿铸有第二凸缘，所述第二凸缘的侧壁径向开设有四个滑槽，所述滑槽的上壁开设有与所述第二凸缘的上端面相贯通的开口，每个所述滑槽的内部均滑动设置有插块，所述插块呈“L”型，其一端伸入至所述滑槽的内部并与所述滑槽的内壁贴合，另一端从所述滑槽上壁的开口中伸出。进一步的，所述外弯管的内部结构与所述内弯管的形状尺寸完全适配，当所述内弯管完全插入所述外弯管的内部时，所述外弯管与所述内弯管的上下两端口均齐平。进一步的，所述第二凸缘与所述嵌入槽的形状尺寸完全适配。进一步的，所述滑槽与所述插槽的尺寸相等，且当所述内弯管完全插入所述外弯管的内部时，四个所述滑槽与四个所述插槽的位置相对应。进一步的，所述外弯管和所述内弯管均为耐热不锈钢材质。综上所述，本技术具有以下有益效果：该种耐冲击离子传输管，由相互适配、紧密连接在一起的外弯管和内弯管组成，双层管壁具有很好的耐冲击性，同时外弯管和内弯管均为耐热材料铸成，实现即使长年累月受到高温、高速离子束的冲击，也不容易被击穿、出现漏点，确保离子注入机能够长期正常使用，并且外弯管和内弯管由端部第一凸缘和第二凸缘上的四个插槽和插块稳固连接在一起，拆装方便，便于维修。附图说明图1为本技术的外弯管和内弯管未完全组合时的整体结构图；图2为本技术的外弯管和内弯管完全组合之后的整体结构图；图3为本技术的外弯管和内弯管未完全组合时的剖面结构图；图4为本技术的第一凸缘和第二凸缘连接之后的剖面结构图。图中：1、外弯管；101、第一凸缘；102、嵌入槽；103、插槽；104、挡圈；2、内弯管；201、第二凸缘；202、插块；203、滑槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-4，一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，包括外弯管1和内弯管2，外弯管1上端口的外沿铸有第一凸缘101，第一凸缘101的上端面同轴开设有嵌入槽102，嵌入槽102的侧壁径向开设有四个插槽103；内弯管2从外弯管1的上端口插入至外弯管1的内部，内弯管2上端口的外沿铸有第二凸缘201，第二凸缘201的侧壁径向开设有四个滑槽203，滑槽203的上壁开设有与第二凸缘201的上端面相贯通的开口，每个滑槽203的内部均滑动设置有插块202，插块202呈“L”型，其一端伸入至滑槽203的内部并与滑槽203的内壁贴合，另一端从滑槽203上壁的开口中伸出。进一步的，如图2和图3所示，外弯管1的内部结构与内弯管2的形状尺寸完全适配，当内弯管2完全插入外弯管1的内部时，外弯管1与内弯管2的上下两端口均齐平。如图1和图2所示，第二凸缘201与嵌入槽102的形状尺寸完全适配。如图4所示，滑槽203与插槽103的尺寸相等，且当内弯管2完全插入外弯管1的内部时，四个滑槽203与四个插槽103的位置相对应，实现了第一凸缘101与第二凸缘201之间的无缝稳固连接，以及外弯管1与内弯管2之间的无缝稳固连接。进一步的，刚从离子源发射出来的离子束温度较高，本技术的外弯管1和内弯管2均采用耐热不锈钢材质，从而大大提升了本技术的耐热性。通过以上技术方案，在使用本技术时，需先将外弯管1和内弯管2组装在一起，具体步骤如下：首先，将内弯管2从外弯管1的上端口插入至外弯管1的内部，直至内弯管2完全插入外弯管1的内部，此时第二凸缘201完全嵌入至嵌入槽102中，并且四个滑槽203正对四个插槽103，然后，如图4所示，由内向外拨动插块202从滑槽203上壁开口中伸出的一端，使插块202的另一端沿着滑槽203向外伸出并插入至插槽103中，以相同的方法让第二凸缘201上的四个插块202均插入至第一凸缘101上的四个插槽103中，从而实现外弯管1和内弯管2的稳固连接；外弯管1和内弯管2组装完毕之后，形成双层管壁，具有很好的耐冲击性，同时外弯管1和内弯管2均为耐热材料铸成，实现即使长年累月受到高温、高速离子束的冲击，也不容易被击穿、出现漏点，确保离子注入机能够长期正常使用，并且外弯管1和内弯管2之间采用四个位置多点插接的方法进行连接，拆装起来十分便捷，便于后续维修。本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，包括外弯管（1）和内弯管（2），其特征在于：/n所述外弯管（1）上端口的外沿铸有第一凸缘（101），所述第一凸缘（101）的上端面同轴开设有嵌入槽（102），所述嵌入槽（102）的侧壁径向开设有四个插槽（103）；/n所述内弯管（2）从所述外弯管（1）的上端口插入至所述外弯管（1）的内部，所述内弯管（2）上端口的外沿铸有第二凸缘（201），所述第二凸缘（201）的侧壁径向开设有四个滑槽（203），所述滑槽（203）的上壁开设有与所述第二凸缘（201）的上端面相贯通的开口，每个所述滑槽（203）的内部均滑动设置有插块（202），所述插块（202）呈“L”型，其一端伸入至所述滑槽（203）的内部并与所述滑槽（203）的内壁贴合，另一端从所述滑槽（203）上壁的开口中伸出。/n

【技术特征摘要】
1.一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，包括外弯管（1）和内弯管（2），其特征在于：
所述外弯管（1）上端口的外沿铸有第一凸缘（101），所述第一凸缘（101）的上端面同轴开设有嵌入槽（102），所述嵌入槽（102）的侧壁径向开设有四个插槽（103）；
所述内弯管（2）从所述外弯管（1）的上端口插入至所述外弯管（1）的内部，所述内弯管（2）上端口的外沿铸有第二凸缘（201），所述第二凸缘（201）的侧壁径向开设有四个滑槽（203），所述滑槽（203）的上壁开设有与所述第二凸缘（201）的上端面相贯通的开口，每个所述滑槽（203）的内部均滑动设置有插块（202），所述插块（202）呈“L”型，其一端伸入至所述滑槽（203）的内部并与所述滑槽（203）的内壁贴合，另一端从所述滑槽（203）上壁的开口中伸出。


2.根据权利要求1所述的一种耐冲击性好的离子注入机质量分...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛芳峰，吴方军，乔德定，严建华，喻建华，余秋根，
申请(专利权)人：德兴市意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36