一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，属于半导体工艺设备技术领域，其技术方案要点是，包括外弯管和内弯管，外弯管上端口的外沿铸有第一凸缘，第一凸缘的上端面同轴开设有嵌入槽，嵌入槽的侧壁径向开设有四个插槽；内弯管从外弯管的上端口插入至外弯管的内部，内弯管上端口的外沿铸有第二凸缘，第二凸缘的侧壁径向开设有四个滑槽，滑槽的上壁开设有与第二凸缘的上端面相贯通的开口，每个滑槽的内部均滑动设置有插块。该种耐冲击离子传输管具有很好的耐冲击性，即使长年累月受到高温、高速离子束的冲击，也不容易被击穿、出现漏点，确保离子注入机能够长期正常使用，同时维修起来也方便。

An ion transfer tube with good impact resistance at the front end of mass analyzer of ion implanter

【技术实现步骤摘要】
一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管
本技术涉及半导体工艺设备
，具体为一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管。
技术介绍
在半导体生产工艺中，主流的杂质掺杂技术都采用离子注入技术，一般采用离子注入机实现离子注入技术。这种方法是由离子源产生等离子体，再通过质谱分析将所需的离子组分提取出来，对离子加速形成具有一定速度的离子束，并注入到半导体基片中，因此离子注入机是半导体生产工艺中十分常用的设备。质量分析器是离子注入机的核心部件，它是依据不同方式将离子源中生成的样品离子按质荷比的大小分开的仪器，可以将所需要的杂质离子从混合的离子束中分离出来。在离子源与质量分析器之间，即质量分析器的前端连接有用于传输离子束的管道，其中单聚焦质量分析器与离子源之间的管道为具有一定半径的圆弧型管道，由于离子注入机造价昂贵，且制造技术较为精尖，因此设备投入使用数十年已经是非常常见的事，正是因为这样长时间的投入使用，现有的质量分析器前端的离子传输管长年累月受到高温、高速离子束的冲击，很容易被击穿，出现漏点，影响离子注入机的正常使用，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，包括外弯管（1）和内弯管（2），其特征在于：/n所述外弯管（1）上端口的外沿铸有第一凸缘（101），所述第一凸缘（101）的上端面同轴开设有嵌入槽（102），所述嵌入槽（102）的侧壁径向开设有四个插槽（103）；/n所述内弯管（2）从所述外弯管（1）的上端口插入至所述外弯管（1）的内部，所述内弯管（2）上端口的外沿铸有第二凸缘（201），所述第二凸缘（201）的侧壁径向开设有四个滑槽（203），所述滑槽（203）的上壁开设有与所述第二凸缘（201）的上端面相贯通的开口，每个所述滑槽（203）的内部均滑动设置有插块（202），所述插块（2...

【技术特征摘要】
1.一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管，包括外弯管（1）和内弯管（2），其特征在于：
所述外弯管（1）上端口的外沿铸有第一凸缘（101），所述第一凸缘（101）的上端面同轴开设有嵌入槽（102），所述嵌入槽（102）的侧壁径向开设有四个插槽（103）；
所述内弯管（2）从所述外弯管（1）的上端口插入至所述外弯管（1）的内部，所述内弯管（2）上端口的外沿铸有第二凸缘（201），所述第二凸缘（201）的侧壁径向开设有四个滑槽（203），所述滑槽（203）的上壁开设有与所述第二凸缘（201）的上端面相贯通的开口，每个所述滑槽（203）的内部均滑动设置有插块（202），所述插块（202）呈“L”型，其一端伸入至所述滑槽（203）的内部并与所述滑槽（203）的内壁贴合，另一端从所述滑槽（203）上壁的开口中伸出。


2.根据权利要求1所述的一种耐冲击性好的离子注入机质量分...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛芳峰，吴方军，乔德定，严建华，喻建华，余秋根，
申请(专利权)人：德兴市意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36