离子植入设备及其校准方法技术

本公开涉及一种方法，包括基于离子植入配方，以离子植入设备的离子源产生多个离子。前述方法包括基于在前述离子植入配方中的离子能设定来加速所产生的前述离子，以及判定所加速的前述离子的能谱。前述方法亦包括分析所判定的前述能谱和前述离子能设定之间的关系。前述方法还包括基于所分析的前述关系来调整前述离子植入设备的最终能量磁铁的至少一参数。

Ion implantation equipment and its calibration method

【技术实现步骤摘要】
离子植入设备及其校准方法
本公开实施例涉及一种离子植入设备及其校准方法。
技术介绍
高能量植入是在基板中深度地形成掺杂层的重要工艺，前述掺杂层是深度地形成在基板中，或通过厚的覆盖层并形成至基板中。在用于超大规模集成电路(very-large-scaleintegration；VLSI)应用的互补金属氧化物半导体(complementarymetal–oxide–semiconductor；CMOS)图像感测器技术中，高能量植入是在用作光电二极管区域的p型和n型扩散剖面(diffusionprofile)之间形成深接面结构(deepjunctionstructure)的关键工艺。高能量植入也提供在高温的场氧化(fieldoxidation)工艺之后形成n型阱(n-well)或p型阱(p-well)的优点。
技术实现思路
本公开实施例提供一种校准方法，包括：基于离子植入配方，以离子植入设备的离子源产生多个离子；基于在前述离子植入配方中的离子能设定来加速所产生的前述离子；判定所加速的前述离子的能谱；分析所判定的前述能谱和前述离子能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种校准方法，包括：/n基于一离子植入配方，以一离子植入设备的一离子源产生多个离子；/n基于在该离子植入配方中的一离子能设定来加速所产生的该等离子；/n判定所加速的该等离子的一能谱；/n分析所判定的该能谱和该离子能设定之间的一关系；以及/n基于所分析的该关系来调整该离子植入设备的一最终能量磁铁的至少一参数。/n

【技术特征摘要】
20180814 US 62/718,423;20190813 US 16/539,5131.一种校准方法，包括：
基于一离子植入配方，以一离子植入设备的一离子源产生多个离子；
基于在该离子植入配方中的一离子能设定来加速所产生的该等离子；
判定所加速的该等离子的一能谱；
分析所判定的该能谱和该离子能设定之间的一关系；以及
基于所分析的该关系来调整该离子植入设备的一最终能量磁铁的至少一参数。


2.如权利要求1所述的校准方法，其中该至少一参数包括该最终能量磁铁的射束控制电流。


3.如权利要求1所述的校准方法，还包括判定所判定的该能谱的一峰值能量。


4.如权利要求3所述的校准方法，其中该关系包括该峰值能量和该离子能设定之间的一差值。


5.如权利要求4所述的校准方法，其中该调整该至少一参数包括调整该至少一参数，使得该峰值能量和该离子能设定之间的该差值小于一预定值。


6.如权利要求5所述的校准方法，其中该预定值包括该离子能设定的约1％、约3％或约5％的能量差值。


7.如权利要求1所述的校准...

【专利技术属性】
技术研发人员：林义雄，叶耀仁，区家麟，刘炫邦，李政恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71