【技术实现步骤摘要】
法拉第杯组件及离子注入装置
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种法拉第杯组件及离子注入装置。
技术介绍
在半导体领域，离子注入技术的应用十分广泛，其可将改变导电性的杂质引入晶圆，以改善产品性能。目前，通常利用离子注入设备生成离子束，并向晶圆轰击，其中，为了检测离子的入射强度，一般要将离子束引入法拉第杯，并通过法拉第杯检测电流变化，从而确定离子束的入射强度。但是，离子束长时间打到法拉第杯的同一区域，会将该区域打薄，甚至打穿，使得法拉第杯测量的电流不准确，导致晶圆电性的偏差，影响产品良率。若频繁检查并更换法拉第杯，则成本较高。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种法拉第杯组件及离子注入装置，可降低成本，提升产品良率。根据本公开的一个方面，提供一种法拉第杯组件，包括：基座，所述基座具有一安装面，所述安装面设有安装槽，所...
【技术保护点】
1.一种法拉第杯组件，其特征在于，包括：/n基座，所述基座具有一安装面，所述安装面设有安装槽，所述安装槽的底面设有至少一个安装孔；/n法拉第杯，呈圆环状，且设于所述安装槽的底面，所述法拉第杯设有沿周向延伸的圆环形的杯腔，所述杯腔具有朝向所述安装槽顶部的开放端，所述杯腔底部设有多个沿周向均匀分布的固定孔，每个所述安装孔与一个所述固定孔正对；/n保护环，设于所述安装面且遮蔽所述安装槽，并与所述法拉第杯同轴设置，所述保护环在所述开放端的投影覆盖所述杯腔，所述保护环设有多个周向均匀分布的圆弧形的狭缝，所述狭缝与所述杯腔连通，所述狭缝和所述固定孔满足以下条件：/n
【技术特征摘要】
1.一种法拉第杯组件，其特征在于，包括：
基座，所述基座具有一安装面，所述安装面设有安装槽，所述安装槽的底面设有至少一个安装孔；
法拉第杯，呈圆环状，且设于所述安装槽的底面，所述法拉第杯设有沿周向延伸的圆环形的杯腔，所述杯腔具有朝向所述安装槽顶部的开放端，所述杯腔底部设有多个沿周向均匀分布的固定孔，每个所述安装孔与一个所述固定孔正对；
保护环，设于所述安装面且遮蔽所述安装槽，并与所述法拉第杯同轴设置，所述保护环在所述开放端的投影覆盖所述杯腔，所述保护环设有多个周向均匀分布的圆弧形的狭缝，所述狭缝与所述杯腔连通，所述狭缝和所述固定孔满足以下条件：
其中，n为所述狭缝的数量，c为所述狭缝所处圆周的周长，L为所述狭缝的弧长，m为所述固定孔的数量；
连接件，可拆卸地连接于所述安装孔，且穿过与所述安装孔正对的固定孔。
2.根据权利要求1所述的法拉第杯组件，其特征在于，所述狭缝和所述固定孔还满足以下条件：
m＝2n。
3.根据权利要求1所述的法拉第杯组件，其特征在于，所述连接件具有外螺纹，且与对应的所述安装孔螺纹连接。
4.根据权利要求1所述的法拉第杯组件，其特征在于，所述法拉第杯组件还包括：
多个接头，设于...
【专利技术属性】
技术研发人员：王东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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