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本公开涉及一种方法，包括基于离子植入配方，以离子植入设备的离子源产生多个离子。前述方法包括基于在前述离子植入配方中的离子能设定来加速所产生的前述离子，以及判定所加速的前述离子的能谱。前述方法亦包括分析所判定的前述能谱和前述离子能设定之间的关...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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