一种制造技术

本实用新型专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种MOS芯片焊接定位结构


[0001]本技术涉及
MOS
芯片焊接
，尤其涉及一种
MOS
芯片焊接定位结构
。

技术介绍

[0002]MOS
芯片的加工过程中，需要进行与引脚的连接以及封装
。
现有技术中，多采用打线的方式进行
MOS
芯片和引脚的电连接
。MOS
芯片和引脚的连线较细，焊接过程中容易上浮或断裂，而且电流通过能力差
。
[0003]为了提升电流通过能力以及避免焊接断裂问题，申请号为
202011035819.3
的专利申请中公开了一种
Clip
结构
TO
‑
220
封装的
MOSFET
及其制造方法，将铜
Clip
放置在栅极及源极相应的位置上，利用焊接材料进行连接，可以减少焊接过程中的上浮和断裂问题
。
然而，由于其铜
Clip
的体积较大，在焊接时，锡膏会熔化而流动，导致铜
Clip
的偏移
。
此外，后续封装过程中，铜
Clip
在注塑料的冲击下也容易变形而与基板相接触，降低了合格率，需要进行改进
。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种
MOS
芯片焊接定位结构，进行铜夹的定位，提升焊接和封装过程中的稳定性
。
[0005]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]一种
MOS
芯片焊接定位结构，包括：
MOS
芯片
、
铜夹
、
基板和定位块，所述铜夹包括第一铜夹和第二铜夹，所述
MOS
芯片设置在基板的正面，所述第一铜夹设置在
MOS
芯片的源极上并向基板的前端外侧延伸，所述第二铜夹设置在
MOS
芯片的栅极上并向基板的前端外侧延伸，所述定位块设置在基板上并与第一铜夹及第二铜夹一一对应进行定位
。
[0007]其中，所述定位块分别位于对应的铜夹的延伸路径上
。
[0008]其中，所述定位块中分别设置有与铜夹对应的插槽
。
[0009]其中，所述定位块分别采用绝缘陶瓷块
。
[0010]其中，所述定位块的底部设置有与基板连接的胶黏剂
。
[0011]其中，所述定位块的底部设置有向下插入基板的定位柱，所述基板上设置有与定位柱对应的定位孔
。
[0012]其中，所述定位柱与定位孔过盈配合
。
[0013]本技术的有益效果：一种
MOS
芯片焊接定位结构，加装了定位块，进行铜夹在基板上的定位，避免铜夹在高温焊接过程中的偏移，提升了铜夹在
MOS
芯片封装注塑过程中的稳定性，有利于提高产品的合格率
。
附图说明
[0014]图1是本技术的结构示意图（俯视）；
[0015]图2是图1中基板的结构示意图；
[0016]图3是图1中定位块的主视图
。
具体实施方式
[0017]下面结合图1至图3并通过具体实施例来进一步说明本技术的技术方案
。
[0018]如图1所示的
MOS
芯片焊接定位结构，包括：
MOS
芯片
2、
铜夹
、
基板1和定位块4，所述铜夹包括第一铜夹5和第二铜夹3，分别与
MOS
芯片的源极和栅极对应
。
[0019]将所述
MOS
芯片2设置在基板1的正面，所述第一铜夹5设置在
MOS
芯片2的源极上并向基板1的前端外侧延伸，所述第二铜夹3设置在
MOS
芯片2的栅极上并向基板1的前端外侧延伸，需要通过焊接进行第一铜夹5和第二铜夹3与
MOS
芯片的源极和栅极的固定
。
[0020]为了提升第一铜夹5和第二铜夹3的稳定性，将2个所述定位块4设置在基板1上并与第一铜夹5及第二铜夹3一一对应进行定位
。
在本实施例中，所述定位块4分别位于对应的铜夹的延伸路径上，所述定位块4中分别设置有与铜夹对应的插槽
41
，方便第一铜夹5及第二铜夹3的插入，进行第一铜夹5及第二铜夹3在基板1上的定位，避免焊接和注塑封装过程中的偏移问题
。
[0021]在本实施例中，所述定位块4分别采用绝缘陶瓷块，绝缘性好，使用安全，而且耐高温效果好
。
定位块4在基板1上的固定有如下两种方式：
实施例1
[0022]在本实施例中，所述定位块4的底部设置有与基板1连接的胶黏剂，采用耐高温的胶黏剂进行定位块4的固定，结构稳定
。
实施例2
[0023]如图3所示，所述定位块4的底部设置有向下插入基板1的定位柱
42
，所述基板1上设置有与定位柱
42
对应的定位孔6，通过定位柱
42
插入对应的定位孔6进行定位块4的安装
。
在本实施例中，所述定位柱
42
与定位孔6过盈配合，结构稳定
。
[0024]以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本技术的限制
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
MOS
芯片焊接定位结构，其特征在于，包括：
MOS
芯片
、
铜夹
、
基板和定位块，所述铜夹包括第一铜夹和第二铜夹，所述
MOS
芯片设置在基板的正面，所述第一铜夹设置在
MOS
芯片的源极上并向基板的前端外侧延伸，所述第二铜夹设置在
MOS
芯片的栅极上并向基板的前端外侧延伸，所述定位块设置在基板上并与第一铜夹及第二铜夹一一对应进行定位
。2.
根据权利要求1所述的
MOS
芯片焊接定位结构，其特征在于，所述定位块分别位于对应的铜夹的延伸路径上
。3.
根据权利要求1所述的
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王啸，周炳，
申请(专利权)人：德兴市意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：