在AEF区域内原位进行束膜稳定或去除的系统和方法技术方案

本发明专利技术涉及一种离子注入系统，其具有配置为形成离子束的离子源以及具有AEF区域的角能量滤波器(AEF)。气体源通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于AEF上的膜。该气体可为氧化气体或含氟气体。气体源可在形成离子束的同时选择性将气体供应到AEF区域。加热AEF，以辅助气体钝化和/或蚀刻膜。热量可源自离子束和/或源自与AEF相关联的辅助加热器。歧管分配器可操作性耦接至气体源并配置为将气体供应到一个或多个AEF电极。

The system and method of in-situ beam stabilization or removal in AEF region

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在AEF区域内原位进行束膜稳定或去除的系统和方法优先权文件本申请要求申请日为2017年10月9日、名称为“SYSTEMANDMETHODFORIN-SITUBEAMLINEFILMSTABILIZATIONORREMOVALINTHEAEFREGION”、申请号为US62/569,846的美国临时申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术总体上涉及离子注入系统，更具体涉及用于稳定在离子注入系统中的束线组件上形成膜的系统和方法，以及用于清洁及从离子注入系统的角能量滤波器除膜的系统、设备和方法。
技术介绍
在半导体器件的制造中，使用离子注入将半导体掺杂杂质。常用离子注入系统将来自离子束的离子掺杂到注入半导体晶片的工件中，以便在集成电路的制造过程中产生n型或p型材料掺杂或者形成钝化层。这种射束处置常用于以预定的能量水平并以控制下的浓度选择性向晶片注入特定掺杂物材料的杂质，以在集成电路的制造过程中产生半导体材料。使用离子注入系统来掺杂半导体晶片时，该系统将选定的离子种类注入到工件以产生期望的非本征材料。注入由如锑、砷或磷等源材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入系统，其包括：/n离子源，所述离子源配置为形成离子束；/n角能量滤波器(AEF)，所述角能量滤波器具有与之相关联的AEF区域；以及/n气体源，所述气体源配置为将气体供应到所述AEF区域，其中，所述气体源配置为通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于所述AEF上的膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171009 US 62/569,8461.一种离子注入系统，其包括：
离子源，所述离子源配置为形成离子束；
角能量滤波器(AEF)，所述角能量滤波器具有与之相关联的AEF区域；以及
气体源，所述气体源配置为将气体供应到所述AEF区域，其中，所述气体源配置为通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于所述AEF上的膜。


2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述气体源包括配置为选择性将相应的氧化气体和含氟气体供应到所述AEF区域的氧化气体源和含氟气体源中的一个或多个气体源。


3.根据权利要求2所述的离子注入系统，其中，所述含氟气体包括NF3和XeF2中的一种或多种气体。


4.根据权利要求2所述的离子注入系统，其中，所述氧化气体包括空气和水汽中的一种或多种气体。


5.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述气体源配置为在形成离子束的同时选择性将气体供应到所述AEF区域，且其中，与离子束相关联的热量配置为加热所述AEF以辅助钝化和/或蚀刻留存于所述AEF上的膜。


6.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括与所述AEF相关联的歧管分配器，其中，所述AEF包括一个或多个AEF电极，且其中，所述歧管分配器操作性耦接至所述气体源并配置为将气体供应到所述一个或多个AEF电极。


7.根据权利要求6所述的离子注入系统，其中，所述歧管分配器包括管，所述管具有限定于其中的多个孔，其中，所述多个孔配置为将气体分散到所述一个或多个AEF电极。


8.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括配置为选择性加热所述AEF的辅助加热器。


9.一种离子注入系统，其包括：
离子源，所述离子源配置为形成离子束；
定位于所述离子源下游的一个或多个组件；以及
气体源，所述气体源配置为将气体供应到与相应一个或多个组件相关联的一个或多个区域，其中，所述气体源配置为通过膜与气体的反应而钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶天照，大卫·柯克伍德，
申请(专利权)人：艾克塞利斯科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US