【技术实现步骤摘要】
一种离子注入装置
本专利技术涉及半导体集成电路，尤其涉及一种离子注入装置。
技术介绍
目前常见的离子注入模式主要有全电扫描注入、电扫描注入和机械扫描组合注入。全电扫描注入如附图1所示，离子束在X、Y两组扫描电极驱动下分两个方向扫描，分别为X扫描、Y扫描，其中一个扫描频率高(例如X扫描)，一个扫描频率低(如Y扫描)，从而形成覆盖完整晶圆表面的注入。电扫描注入和机械扫描组合注入如附图2所示，离子束在一组X扫描电极驱动下高速扫描，形成覆盖超过晶圆直径的扫描宽带束，晶圆在机械扫描驱动装置的驱动下进行低速Y机械扫描，每次Y机械扫描上下跨越扫描宽带束，从而形成覆盖整个晶圆表面的注入。现有的离子注入装置在硅器件制造中的不同掺杂工艺得到应用，满足应用需求，但在一些特殊材料的晶圆注入中遇到困难，主要原因在于离子束注入晶圆时功率过于集中，容易导致晶圆表面温度过高，尤其是一些对温度敏感的半导体材料，需要严格控制晶圆表面的温度，在大剂量注入、高产能的应用场景更加无法满足需求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克...
【技术保护点】
1.一种离子注入装置，其特征在于：包括旋转靶盘(1)及宽带离子束(2)，所述旋转靶盘(1)上设有与旋转靶盘(1)中心重合的环形注入区域(11)，所述环形注入区域(11)内均匀布置有多个晶圆装载区(3)，所述宽带离子束(2)的宽度为a、所述环形注入区域(11)的半径为b，则a≥b。/n
【技术特征摘要】
1.一种离子注入装置，其特征在于：包括旋转靶盘(1)及宽带离子束(2)，所述旋转靶盘(1)上设有与旋转靶盘(1)中心重合的环形注入区域(11)，所述环形注入区域(11)内均匀布置有多个晶圆装载区(3)，所述宽带离子束(2)的宽度为a、所述环形注入区域(11)的半径为b，则a≥b。
2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于：所述宽带离子束(2)剖面沿所述旋转靶盘(1)半径方向的束流线密度满足公式I＝k*r，其中k＞0。
3.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于：所述环形注入区域(11)内设有用于检测所述宽带离子束(2)束流参数的束流检测孔(12)，所述束流检测孔(12)位于相邻的两个晶圆装载区(3)之间并沿所述旋转靶盘(1)的径向布置，所述束流检测孔(12)远离所述宽带离子束(2)的一侧设有束流检测法拉第(4)。
4.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭立波，邓坎，王迪平，胡振东，袁卫华，许波涛，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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