形成半导体器件的方法和半导体器件技术

根据本申请的实施例，提供了一种在BSI图像传感器中制造自对准栅格的方法。该方法包括在衬底的背面上沉积第一介电层，该衬底具有形成在其中的多个光电二极管，形成沟槽栅格，以及用介电材料填充沟槽以形成沟槽隔离栅格。在此，沟槽穿过第一介电层并延伸到衬底中。该方法还包括将沟槽中的介电材料回蚀刻到低于第一介电层的上表面的水平，以形成覆盖沟槽隔离栅格的凹槽，并用金属材料填充凹槽以形成与沟槽隔离栅格对准的金属栅格。根据本申请的实施例，还提供了形成半导体器件的方法及相关的半导体器件。

Methods of forming semiconductor devices and semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
形成半导体器件的方法和半导体器件
本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及形成半导体器件的方法和半导体器件。
技术介绍
数码相机和其他光学成像设备采用图像传感器。图像传感器将光学图像转换为可以表示为数字图像的数字数据。图像传感器包括像素传感器阵列和支持逻辑。阵列的像素传感器是用于测量入射光的单元器件，并且支持逻辑有助于读出测量结果。通常用于光学成像器件的一种图像传感器是背面照明(BSI)图像传感器。BSI图像传感器制造可以集成到传统的半导体工艺中，以实现低成本、小尺寸和高集成度。此外，BSI图像传感器具有低工作电压、低功耗、高量子效率、低读出噪声并且允许随机访问。
技术实现思路
根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底的背面上沉积第一介电层，多个光电二极管形成在其中；形成沟槽栅格，其中沟槽穿过所述第一介电层并延伸到所述衬底中；用介电材料填充所述沟槽以形成沟槽隔离栅格；将所述沟槽中的介电材料回蚀刻到低于所述第一介电层的上表面的水平，以形成覆盖所述沟槽隔离栅格的凹槽；以及用金属材料填充所述凹槽以形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n在衬底的背面上沉积第一介电层，多个光电二极管形成在其中；/n形成沟槽栅格，其中沟槽穿过所述第一介电层并延伸到所述衬底中；/n用介电材料填充所述沟槽以形成沟槽隔离栅格；/n将所述沟槽中的介电材料回蚀刻到低于所述第一介电层的上表面的水平，以形成覆盖所述沟槽隔离栅格的凹槽；以及/n用金属材料填充所述凹槽以形成与所述沟槽隔离栅格对齐的金属栅格。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,323;20190326 US 16/364,4501.一种形成半导体器件的方法，包括：
在衬底的背面上沉积第一介电层，多个光电二极管形成在其中；
形成沟槽栅格，其中沟槽穿过所述第一介电层并延伸到所述衬底中；
用介电材料填充所述沟槽以形成沟槽隔离栅格；
将所述沟槽中的介电材料回蚀刻到低于所述第一介电层的上表面的水平，以形成覆盖所述沟槽隔离栅格的凹槽；以及
用金属材料填充所述凹槽以形成与所述沟槽隔离栅格对齐的金属栅格。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
去除所述第一介电层的至少一部分，以暴露所述金属栅格中的金属栅格段的内部区域的至少一部分。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
去除所述第一介电层的至少一部分和所述衬底的至少一部分，以暴露所述金属栅格中的金属栅格段的内部区域的至少一部分，直到所述金属栅格的底部与所述衬底的表面垂直地隔开预定的距离。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟槽栅格包括：
在所述第一介电层上沉积氮化硅层；
在所述氮化硅层中形成掩模图案；以及
根据所述氮化硅层中的掩模图案蚀刻穿过所述第一介电层并蚀刻到所述衬底中。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述衬底的背面的一部分中形成高吸收结构，其中所述第一介电层沉积在所述衬底的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹淳凯，卢玠甫，周世培，吴尉壮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71