半导体结构制造技术

本发明专利技术实施例公开包含具有不同阈值电压的晶体管的设备和电路以及其制造方法。在一个实例中，公开一种半导体结构。半导体结构包含衬底、有源层、极化调制层以及多个晶体管。有源层形成在衬底上方且包括多个有源部分。极化调制层包括多个极化调制部分，多个极化调制部分中的每一个设置于多个有源部分中的对应一个上。多个晶体管中的每一个包括源极区、漏极区以及形成于多个极化调制部分中的对应一个上的栅极结构。晶体管具有至少三个不同阈值电压。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术实施例涉及一种半导体结构。
技术介绍
在集成电路(integratedcircuit，IC)中，增强型N型晶体管，例如增强型高电子迁移率晶体管(enhancement-modehigh-electron-mobilitytransistor，E-HEMT)，可用作上拉装置(pull-updevice)以最小化静态电流。为了实现接近全轨(full-rail)的上拉电压和快速转换速率(fastslewrate)，对于N型增强型晶体管来说，需要相当大的过驱动电压(over-drivevoltage)。也就是说，栅极与源极之间的电压差(Vgs)应比阈值电压(Vt)大得多，即(Vgs-Vt>>0)。必须使用基于多级E-HEMT的驱动器用于集成电路来最小化静态电流。尽管如此，归因于E-HEMT上拉装置的每一级上的一个Vt降以及自举二极管上的一个正向电压(forwardvoltage)(Vf)降，基于多级E-HEMT的驱动器将不会有足够的过驱动电压(特别是对于最末级驱动器)。虽然可降低上拉E-HEMT晶体管的Vt和多级驱动器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n衬底；/n有源层，形成在所述衬底上方且包括多个有源部分；/n极化调制层，包括多个极化调制部分，所述多个极化调制部分中的每一个设置于所述多个有源部分中的对应一个上；以及/n多个晶体管，所述多个晶体管中的每一个包括源极区、漏极区以及形成于所述多个极化调制部分中的对应一个上的栅极结构，其中所述多个晶体管具有至少三个不同阈值电压。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,618;20190919 US 16/576,5251.一种半导体结构，包括：
衬底；
有源层，形成在所述衬底上方且包括多个有源部分；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71