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本发明实施例公开包含具有不同阈值电压的晶体管的设备和电路以及其制造方法。在一个实例中，公开一种半导体结构。半导体结构包含衬底、有源层、极化调制层以及多个晶体管。有源层形成在衬底上方且包括多个有源部分。极化调制层包括多个极化调制部分，多个极化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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