一种半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体装置及其制造方法，本发明专利技术的半导体装置利用金属基板作为封装基板可以增强其刚性，并且利用芯片背面的凹凸结构，即多个盲孔和多个金属柱进行有效的散热和对准，同时本发明专利技术的芯片可以利用其内部的第二通孔与部分金属柱进行电连接，且该种电连接无需在塑封层或树脂层中形成互联上下再分布层的通孔结构，传递信号路径更短。

A semiconductor device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件封装领域，属于H01L23/00分类号下，具体涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
对于半导体封装，多芯片封装可以实现小型化、多功能化以及低成本化，但是随着要求的不断提升，多芯片封装的薄型化和散热性能都需要进一步提升，如何在现有硅芯片的基础上实现更小型封装、更优的散热并防止封装体的翘曲或断裂，是本领域所一直追求目标。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：(1)提供金属基板，所述金属基板具有相对的第一表面和第二表面；(2)在所述第一表面上形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述金属基板；(3)刻蚀所述凹槽底部的金属基板，形成多个金属柱；(4)提供第一芯片，在所述第一芯片的背面形成多个盲孔，将所述第一芯片置于所凹槽内，且使得所述多个金属柱插入所述多个盲孔中；(5)形成树脂材料填充所述凹槽，所述树脂材料密封所述第一芯片的背面以及所述多个金属柱；(6)在所述凹槽的周边区域刻蚀所述金属基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：/n(1)提供金属基板，所述金属基板具有相对的第一表面和第二表面；/n(2)在所述第一表面上形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述金属基板；/n(3)刻蚀所述凹槽底部的金属基板，形成多个金属柱；/n(4)提供第一芯片，在所述第一芯片的背面形成多个盲孔，将所述第一芯片置于所凹槽内，且使得所述多个金属柱插入所述多个盲孔中；/n(5)形成树脂材料填充所述凹槽，所述树脂材料密封所述第一芯片的背面以及所述多个金属柱；/n(6)在所述凹槽的周边区域刻蚀所述金属基板的所述第一表面形成至少一环形槽；/n(7)在所述环形槽中填充绝缘材以形成绝缘环形槽；/n(8)研磨所述第二表...

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：
(1)提供金属基板，所述金属基板具有相对的第一表面和第二表面；
(2)在所述第一表面上形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述金属基板；
(3)刻蚀所述凹槽底部的金属基板，形成多个金属柱；
(4)提供第一芯片，在所述第一芯片的背面形成多个盲孔，将所述第一芯片置于所凹槽内，且使得所述多个金属柱插入所述多个盲孔中；
(5)形成树脂材料填充所述凹槽，所述树脂材料密封所述第一芯片的背面以及所述多个金属柱；
(6)在所述凹槽的周边区域刻蚀所述金属基板的所述第一表面形成至少一环形槽；
(7)在所述环形槽中填充绝缘材以形成绝缘环形槽；
(8)研磨所述第二表面，使得所述绝缘环形槽和所述多个金属柱从所述第二表面露出，其中所述绝缘环形槽环绕的金属部分构成第一通孔。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在步骤(4)中，还包括在所述第一芯片中形成第二通孔，且所述第二通孔的一端露出于所述多个盲孔中的其中一个盲孔的底部；进一步的，所述第二通孔与所述多个金属柱的其中一个金属柱电连接。


3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：还包括步骤(9)，在所述第一表面上形成再分布层，所述再分布层至少与所述第一芯片、所述第一通孔和第二通孔电连接。


4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：还包括步骤(10)，在所述再分布层上电连接第二芯片，并在所述再分...

【专利技术属性】
技术研发人员：张红梅，刘梦雪，
申请(专利权)人：淄博职业学院，
类型：发明
国别省市：山东;37