【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)是计算机中常用的半导体器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管；晶体管的栅极与字线相连、源极与位线相连、漏极与电容器相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。随着技术的发展，DRAM的线宽越来越小，器件集成度也越来越高，栅极之间的距离不断缩小，这会带来一些问题，比如电容的泄露、相邻两个栅极之间的干扰等，这些问题均会对器件性能产生影响。埋入式栅极字线连结(BuriedWordline)技术不同于传统的沟槽式(Trench)技术，具有效能、低功耗和小尺寸芯片等特点。但是目前埋入栅极都是用光刻技术进行定位来曝光显影的，这可能会出现曝光偏差。因此，现有技术的技术方案加工难度大，对准时容易出现偏差，还存在有待改进之处。<...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上定义出第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向具有不为零的夹角；/n利用自对准技术在所述半导体衬底中沿所述第一方向形成第一隔离结构；/n于具有第一隔离结构的半导体衬底中沿所述第二方向形成第二隔离结构；/n以所述第二隔离结构为基准，利用自对准技术在具有第一隔离结构和第二隔离结构的半导体衬底中沿所述第二方向形成埋入式栅极字线结构；/n所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间形成有源区。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上定义出第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向具有不为零的夹角；
利用自对准技术在所述半导体衬底中沿所述第一方向形成第一隔离结构；
于具有第一隔离结构的半导体衬底中沿所述第二方向形成第二隔离结构；
以所述第二隔离结构为基准，利用自对准技术在具有第一隔离结构和第二隔离结构的半导体衬底中沿所述第二方向形成埋入式栅极字线结构；
所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间形成有源区。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，利用自对准技术在所述半导体衬底中沿所述第一方向形成第一隔离结构包括：
在所述半导体衬底上形成第一衬氧化层、第一氮化硅层、第一碳层、第一氧化层和第一光刻胶；
于所述第一光刻胶中形成第一开口；
利用所述第一开口对所述第一氧化层、第一碳层和所述第一氮化硅层进行刻蚀，并去除所述第一光刻胶、所述第一氧化层和所述第一碳层，于所述第一氮化硅层中形成第二开口；
在所述第一氮化硅层表面和所述第二开口中沉积第二氧化层；
刻蚀所述第一氮化硅层表面和所述第二开口底面的所述第二氧化层，保留所述第二开口侧壁的所述第二氧化层；于所述第二开口中填充第二氮化硅层；
利用所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层作为掩膜，刻蚀所述第二开口侧壁的所述第二氧化层、所述第一衬氧化层和所述半导体衬底，形成第一沟槽；
在所述第一沟槽中填充隔离材料，并去除所述第一氮化硅、所述第二氮化硅层和所述第一衬氧化层，在所述半导体衬底中形成沿所述第一方向的第一隔离结构。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二开口侧壁的所述第二氧化层的厚度为15～20纳米。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，于具有第一隔离结构的半导体衬底中沿所述第二方向形成第二隔离结构包括：
在所述具有第一隔离结构的半导体衬底上形成第二衬氧化层、第三氮化硅层、第三氧化层、第二碳层、第四氧化层和第二光刻胶；
于所述第二光刻胶中形成第三开口；
利用所述第三开口对所述第四氧化层、所述第二碳层、所述第三氧化层、所述第三氮化硅层、所述第二衬氧化层和所述半导体衬底进行刻蚀，于所述第三氮化硅层、所述第二衬氧化层和所述半导体衬底中形成第二沟槽，并去除所述第二光刻胶、所述第四氧化层、所述第二碳层和所述第三氧化层；
在所述第二沟槽中填充隔离材料，于所述半导体衬底中形成沿所述第二方向分布的第二隔离结构。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，以所述第二隔离结构为基准，利用自对准技术在具有第一隔离结构和第二隔离结构的半导体衬底中沿所述第二方向形成埋入式栅极字线结构包括：
形成所述第二隔离结构后，对所述第二沟槽中的隔离材料进行回刻，形成第三沟槽，所述第三沟槽的底面高于所述半导体衬底的上表面；
在所述第三沟槽中形成第一多晶硅，并去除所述第三氮化硅层；
技术研发人员：宛伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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