半导体存储器的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体存储器的形成方法。同时制备出辅助线群组和位于辅助线群组外围的周边膜层，并基于辅助线群组中的辅助线进一步界定出位线图形，从而即可将周边膜层的周边栅极图形和位线图形同时复制至导电材料层中，以同时形成周边栅极层和位线。如此，即能够有效简化半导体存储器的制备工艺，并节省成本，同时还可以改善位于边缘位置上的位线出现形貌异常的现象。

Forming method of semiconductor memory

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器的形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体存储器的形成方法。
技术介绍
半导体存储器(例如，动态随机存储器，DRAM)通常包括用于存储数据的存储单元阵列，以及位于存储单元阵列外围的周边电路。其中，存储单元阵列由多个排布在存储阵列区中并呈阵列排布的存储单元构成，所述存储单元还连接至一位线；以及，所述周边电路中通常包括周边晶体管。现有的半导体存储器的形成方法中，在制备位线和制备周边晶体管的周边栅极层时，通常需要在不同的工艺步骤中分别形成，如此必然会导致半导体存储器的制备工艺较为繁杂，并且制备成本也较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体存储器的形成方法，以简化半导体存储器的制备工艺。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体存储器的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有一存储阵列区和位于所述存储阵列区外围的周边区，并且在所述衬底上形成有一导电材料层，所述导电材料层覆盖所述存储阵列区和所述周边区；形成初始图案层在衬底上，所述初始图案层位于所述导电材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底具有一存储阵列区和位于所述存储阵列区外围的周边区，并且在所述衬底上形成有一导电材料层，所述导电材料层覆盖所述存储阵列区和所述周边区；/n形成初始图案层在衬底上，所述初始图案层位于所述导电材料层的上方，其中所述初始图案层包括至少一个周边膜层和辅助线群组，所述周边膜层位于所述周边区中并具有周边栅极图形，所述辅助线群组中的多条辅助线位于所述存储阵列区中并沿着预定方向延伸；/n形成第一保护层在所述衬底上，所述第一保护层覆盖所述周边膜层，并暴露出所述辅助线群组；/n形成第一间隔侧墙在所述辅助线群组中的所述辅助线的侧壁上；/n去除所...

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底具有一存储阵列区和位于所述存储阵列区外围的周边区，并且在所述衬底上形成有一导电材料层，所述导电材料层覆盖所述存储阵列区和所述周边区；
形成初始图案层在衬底上，所述初始图案层位于所述导电材料层的上方，其中所述初始图案层包括至少一个周边膜层和辅助线群组，所述周边膜层位于所述周边区中并具有周边栅极图形，所述辅助线群组中的多条辅助线位于所述存储阵列区中并沿着预定方向延伸；
形成第一保护层在所述衬底上，所述第一保护层覆盖所述周边膜层，并暴露出所述辅助线群组；
形成第一间隔侧墙在所述辅助线群组中的所述辅助线的侧壁上；
去除所述辅助线，并保留所述第一间隔侧墙，所述第一间隔侧墙的图形用于构成位线图形；以及，
去除所述第一保护层，以暴露出所述周边膜层，并将所述周边膜层的所述周边栅极图形和所述位线图形复制至所述导电材料层中，以分别形成周边栅极层在所述周边区中，以及形成位线在所述存储阵列区中。


2.如权利要求1所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，在所述导电材料层上还形成一掩膜层，所述初始图案层形成在所述掩膜层上；
其中，在将所述周边栅极图形和所述位线图形复制至所述导电材料层中的方法包括：
将所述周边栅极图形和所述位线图形复制至所述掩膜层中，以形成图形化的掩膜层；以及，
以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述导电材料层，以分别形成所述周边栅极层和所述位线。


3.如权利要求2所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括由下至上依次堆叠的底层图形转移层、硬质薄膜层、刻蚀停止层和顶层遮蔽层；
其中，将所述周边栅极图形和所述位线图形复制至所述掩膜层中的方法包括：
以所述周边膜层和所述第一间隔侧墙为掩膜刻蚀所述顶层遮蔽层，以将所述周边栅极图形和利用所述第一间隔侧墙构成的位线图形复制至所述顶层遮蔽层中，以形成图形化的顶层遮蔽层；以及，
以所述图形化的顶层遮蔽层为掩膜依次刻蚀所述刻蚀停止层、所述硬质掩膜层和所述底层图形转移层，以将所述周边栅极图形和位线图形复制至所述底层图形转移层中。


4.如权利要求3所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，所述第一间隔侧墙呈环状结构；其中，在将所述周边栅极图形和所述位线图形复制至图形化的顶层遮蔽层中的方法包括：
以所述周边膜层和所述第一间隔侧墙为掩膜刻蚀所述顶层遮蔽层，以在所述顶层遮蔽层中形成周边栅极图形和对应所述第一间隔侧墙的环状结构图形；
形成第二保护层在所述衬底上，所述第二保护层覆盖所述顶层遮蔽层中的周边栅极图形并部分覆盖所述环状结构图形，以暴露出所述环状结构图形的端部；以及，
去除所述顶层遮蔽层中环状结构图形的端部，以将每一所述环状结构图形分断为两个相互分隔的线条图形，所述线条图形构成所述位线图形。


5.如权利要求3所述的半导体存储器的形成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫光彩，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34