半导体互连结构和形成半导体结构的方法技术

本发明专利技术涉及形成半导体结构的方法。该方法包括在第一介电层上方沉积蚀刻停止层(ESL)。ESL层沉积可以包括：在第一介电层上方流动第一前体；净化第一前体的至少部分；在第一介电层上方流动第二前体以形成ESL层的子层；并且净化第二前体的至少部分。该方法还可以包括在ESL层上沉积第二介电层以及在第二介电层中并且穿过ESL层形成通孔。本发明专利技术的实施例还涉及半导体互连结构。

Semiconductor interconnection structure and method of forming semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体互连结构和形成半导体结构的方法
本专利技术的实施例涉及半导体互连结构和形成半导体结构的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了指数型增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(例如，使用制造工艺可产生的最小组件或线)已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在第一介电层上方沉积蚀刻停止层(ESL)，其中，所述沉积包括：在所述第一介电层上方流动第一前体；净化所述第一前体的至少部分；在所述第一介电层上方流动第二前体以形成所述蚀刻停止层的子层；以及净化所述第二前体的至少部分；在所述蚀刻停止层上沉积第二介电层；以及在所述第二介电层中并且穿过所述蚀刻停止层形成通孔。本专利技术的另一实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在第一介电层中形成导电结构；在所述第一介电层上方沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：/n在第一介电层上方沉积蚀刻停止层(ESL)，其中，所述沉积包括：/n在所述第一介电层上方流动第一前体；/n净化所述第一前体的至少部分；/n在所述第一介电层上方流动第二前体以形成所述蚀刻停止层的子层；以及/n净化所述第二前体的至少部分；/n在所述蚀刻停止层上沉积第二介电层；以及/n在所述第二介电层中并且穿过所述蚀刻停止层形成通孔。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,310;20190605 US 16/432,5691.一种形成半导体结构的方法，包括：
在第一介电层上方沉积蚀刻停止层(ESL)，其中，所述沉积包括：
在所述第一介电层上方流动第一前体；
净化所述第一前体的至少部分；
在所述第一介电层上方流动第二前体以形成所述蚀刻停止层的子层；以及
净化所述第二前体的至少部分；
在所述蚀刻停止层上沉积第二介电层；以及
在所述第二介电层中并且穿过所述蚀刻停止层形成通孔。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述蚀刻停止层包括沉积氧化铝。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体包括三甲基铝(TMA)。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二前体包括叔丁醇((CH3)3COH)、H2O、乙二醇或叔戊醇(TAA)中的一种。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括，在所述第一前体流动之前对所述第一介电层实施等离子体处理工艺。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，实施所述等离子体处理工...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘中伟，蓝锦坤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71