存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

可以提供一种正交双端口Ram(ORAM)存储器单元。ORAM存储器单元可以包括数据存储元件、第一端口位线和第二端口位线，该第二端口位线可以基本上垂直于第一端口位线。ORAM存储器单元还可以包括第一字线，该第一字线可以基本上垂直于第一端口位线，其中该ORAM存储器单元可以被配置为当第一字线被启用时从数据存储元件向第一端口位线读取数据。该ORAM存储器单元还可以包括第二字线，该第二字线垂直于第二端口位线，其中该ORAM存储器单元可以配置为当第二字线被使能时从数据存储元件向第二端口位线读取数据。本发明专利技术的实施例还涉及存储器装置及操作存储器装置的方法。

Memory device and operation method

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法
本专利技术的实施例涉及存储器装置及其操作方法。
技术介绍
半导体存储器是在基于半导体的集成电路上实现的电子数据存储器件。半导体存储器具有许多不同的类型，并且比其他数据存储技术具有更快的存取时间。例如，数据的字节通常可以在几纳秒内被写入半导体存储器或从半导体存储器中读取，而针对旋转存储(例如，硬盘)的存取时间则在毫秒的范围内。出于这些原因，其中，半导体存储器被用作计算机的主要存储机制，以保持计算机当前正在工作的数据，以及其它用途。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种存储器装置，包括：存储器阵列，存储器阵列包括多个双端口存储器单元；多个双端口存储器单元的第一部分，布置在第一行中；多个双端口存储器单元的第二部分，布置在第二行中；多个双端口存储器单元的第三部分，布置在第一列中；多个双端口存储器单元的第四部分，布置在第二列中；第一多个位线，对应于多个双端口存储器单元的第三部分并且布置在第一列中；第二多个位线，对应于多个双端口存储器单元的第四部分并且布置在第二列中；第三多个位线，对应于多个双端口存储器单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：/n存储器阵列，所述存储器阵列包括多个双端口存储器单元；/n所述多个双端口存储器单元的第一部分，布置在第一行中；/n所述多个双端口存储器单元的第二部分，布置在第二行中；/n所述多个双端口存储器单元的第三部分，布置在第一列中；/n所述多个双端口存储器单元的第四部分，布置在第二列中；/n第一多个位线，对应于所述多个双端口存储器单元的所述第三部分并且布置在所述第一列中；/n第二多个位线，对应于所述多个双端口存储器单元的所述第四部分并且布置在所述第二列中；/n第三多个位线，对应于所述多个双端口存储器单元的所述第一部分并且布置在所述第一行中；/n第四多个位线，对应于所述多个双端...

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,170;20190926 US 16/584,2571.一种存储器装置，包括：
存储器阵列，所述存储器阵列包括多个双端口存储器单元；
所述多个双端口存储器单元的第一部分，布置在第一行中；
所述多个双端口存储器单元的第二部分，布置在第二行中；
所述多个双端口存储器单元的第三部分，布置在第一列中；
所述多个双端口存储器单元的第四部分，布置在第二列中；
第一多个位线，对应于所述多个双端口存储器单元的所述第三部分并且布置在所述第一列中；
第二多个位线，对应于所述多个双端口存储器单元的所述第四部分并且布置在所述第二列中；
第三多个位线，对应于所述多个双端口存储器单元的所述第一部分并且布置在所述第一行中；
第四多个位线，对应于所述多个双端口存储器单元的所述第二部分并且布置在所述第二行中；
第一字线，对应于布置在所述第一行中的所述多个双端口存储器单元的所述第一部分；
第二字线，对应于布置在所述第二行中的所述多个双端口存储器单元的所述第二部分；
第三字线，对应于布置在所述第一列中的所述多个双端口存储器单元的所述第三部分；以及
第四字线，对应于布置在所述第二列中的所述多个双端口存储器单元的所述第四部分。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一多个位线和所述第二多个位线垂直于所述第三多个位线和所述第四多个位线。


3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一字线和所述第二字线垂直于所述第三字线和所述第四字线。


4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器阵列被配置为：当所述第一字线被激活时，从行数据端口读取数据或者将数据写入到所述行数据端口，所述数据对应于布置在所述第一行中的所述多个双端...

【专利技术属性】
技术研发人员：科马克·麦可·欧康尼尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71